一种RESFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种RESFET器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明专利技术的RESFET器件静态功耗更低，延时更低，减小器件体积，提高集成度。由于纳米线的上表面、下表面和侧面均形成沟道，从而能够形成多层沟道结构，进一步提升上述多层纳米线叠层环栅的沟道结构的整体载流子迁移率和多层纳米线的综合性能。由于采用宽度较窄的纳米线，则具有低功耗的特点。相比传统垂直FinFET器件可以实现更有效地散热，更长时间的正常工作，更高的输出电流密度。本发明专利技术的RESFET器件的制备方法在提升了器件性能，提升了器件集成度，降低能耗的同时采用的都是没有任何门槛的技术手段，因此适合大规模推广和应用。模推广和应用。模推广和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种RESFET器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体技术中的器件制造领域，具体的涉及一种RESFET器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]GaN基材料具有禁带宽度大、击穿场强高、极化系数高、电子迁移率和电子饱和漂移速度高等一系列材料性能优势,是制备新一代高性能电力电子器件的优选材料,具有重要的应用前景。GaN基材料对于光电子器件和微电子器件都有着极大的吸引力。GaN基材料具有禁带宽、击穿电压高、电子饱和漂移速度高以及热稳定性好等特点,而且同AlGaN合金材料能构成理想的异质结,其异质界面上大的导带偏移以及GaN基材料自身高的压电极化和自发极化强度可产生高密度的二维电子气，电子气密度比AlGaAs/GaAs异质结高约一个数量级，因而适于制作高温、高频、大功率电子器件。
[0003]近年来宽禁带氮化镓(GaN)以其优越的材料性能，已成为功率和射频器件应用领域的著名半导体。具有三维结构的FinFET垂直纳米线互补式金属半导体场效应晶体管(Fin Field
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Effect Transistor,简称FinF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RESFET器件，其特征在于，包括：MOS管部分和RES部分；其中MOS管部分包括：n型GaN衬底；第一n型GaN纳米线，所述第一n型GaN纳米线结合于所述n型GaN衬底的一表面；氧化铝层，所述氧化铝层结合于所述n型GaN衬底，且被所述第一n型GaN纳米线分割成彼此间隔的两个部分，所述氧化铝层彼此间隔的两部分与第一n型GaN纳米线形成平面；第一金属电极层，所述第一金属电极层贴合于所述氧化铝层与所述第一n型GaN纳米线形成的平面背离所述n型GaN衬底表面；第一氧化层，所述第一氧化层一表面结合于所述第一金属电极层背离所述n型GaN衬底表面；第二GaN纳米线，所述第二GaN纳米线结合于所述第一氧化层背离所述n型GaN衬底表面；第二氧化层，所述第二氧化层结合于所述第一氧化层背离所述n型GaN衬底表面，所述第二氧化层与第一氧化层将所述第二GaN纳米线紧密包裹形成氧化包裹层；第二金属电极层，所述第二金属电极层结合于所述第二氧化层背离所述第一氧化层表面，所述第二金属电极层和第一金属电极层将所述氧化包裹层紧密包裹；所述第二GaN纳米线两端各设置有一个欧姆电极；RES部分包括：衬底层；金属膜层，所述金属膜层结合于所述衬底一表面，且分为彼此间隔的两部分，分别命名为第一金属膜层和第二金属膜层；衬垫层，分别结合于所述第一金属膜层背离所述衬底表面和第二金属膜层背离所述衬底表面，所述第一金属膜层和第二金属膜层分别设置有彼此间隔的两个衬垫层，靠近所述金属膜边缘的为外侧衬垫，靠近所述第一金属膜和第二金属膜形成的间隔区域的为内侧衬垫；多晶硅锗薄膜层，所述多晶硅锗薄膜层与所内侧述衬垫欧姆接触；所述RES部分的衬底层贴合设置于所述MOS管部分的所述氧化铝层与所述第一n型GaN纳米线形成的平面背离所述n型GaN衬底表面。2.如权利要求1所述的RESFET器件，其特征在于：所述MOS管衬底的材料可替换为SiC；所述RES管衬底材料可替换为SiO2。3.如权利要求1所述的RESFET器件，其特征在于：所述第一氧化层和第二氧化层的材料为Al2O3或SiO2。4.如权利要求1所述的RESFET器件，其特征在于：所述第一金...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄双武，高麟飞，林峰，吴钧烨，宋利军，黎晓华，刘新科，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：