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本发明的目的是提供一种RESFET器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的RESFET器件静态功耗更低，延时更低，减小器件体积，提高集成度。由于纳米线的上表面、下表面和侧面均形成沟道，从而能够形成多层沟道结构，进一步提升上述多层纳米线叠层...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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