用于有机电子元件的化合物、使用所述化合物的有机电子元件及其电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了能够改善元件的发光效率、稳定性和使用寿命的新化合物；使用所述化合物的有机电子元件及其电子装置。有机电子元件及其电子装置。

【技术实现步骤摘要】
用于有机电子元件的化合物、使用所述化合物的有机电子元件及其电子装置


[0001]本专利技术涉及用于有机电子元件的化合物、使用所述化合物的有机电子元件及其电子装置。

技术介绍

[0002]通常，有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转化为光能的现象。使用有机发光现象的有机电子元件通常具有包括阳极、阴极和插入其间的有机材料层的结构。在此，为了增加有机电子元件的效率和稳定性，有机材料层通常由多层结构构成，所述多层结构由不同材料构成，并且例如可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层等。
[0003]用作有机电子元件中的有机材料层的材料可以根据其功能分为发光材料和电荷传输材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。
[0004]使用寿命和效率是有机电致发光装置中最成问题的，并且随着显示器变得更大，必须解决这些效率和使用寿命问题。效率、使用寿命和驱动电压彼此相关，并且当效率增加时，驱动电压相对降低，并且随着驱动电压降低，由于驱动期间产生的焦耳加热导致的有机材料的结晶降低，因此，使用寿命趋于增加。
[0005]然而，通过改善有机材料层不能简单地使效率最大化。这是因为，当各有机材料层之间的能级和T1值，以及材料的固有性质(迁移率、界面性质等)被最佳地组合时，可以同时实现长使用寿命和高效率。
[0006]此外，为了解决最近的有机电致发光装置中的空穴传输层中的发光问题，发射辅助层必须存在于空穴传输层与发射层之间，并且正是根据每个发射层(R,G,B)开发不同的发射辅助层的时候。
[0007]通常，电子从电子传输层转移到发射层，空穴从空穴传输层转移到发射层，并且通过复合产生激子。
[0008]然而，由于用于空穴传输层的材料应具有低HOMO值，因此大多数具有低T1值。因此，在发射层中产生的激子被转移到空穴传输层，导致发射层中的电荷不平衡，从而在空穴传输层界面处发射光。
[0009]当在空穴传输层界面处发射光时，有机电子元件的颜色纯度和效率降低，并且使用寿命缩短。因此，迫切需要开发具有高T1值并且具有在空穴传输层的HOMO能级与发射层的HOMO能级之间的HOMO能级的发射辅助层。
[0010]此外，有必要开发一种空穴注入层材料，其延迟金属氧化物从阳极电极(ITO)渗透和扩散到有机层中，这是缩短有机电子元件的使用寿命的原因之一，并且具有稳定的特性，即高玻璃化转变温度，甚至在装置驱动期间抵抗焦耳加热。空穴传输层材料的低玻璃化转变温度具有在装置驱动期间降低薄膜表面的均匀性的特征，据报道这对装置使用寿命具有显著影响。此外，OLED装置主要通过沉积方法形成，并且有必要开发一种能够在沉积期间经
受长时间的材料，即具有强耐热性的材料。
[0011]换句话说，为了完全展现有机电子元件的优异特性，构成装置中的有机材料层的材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料、发射辅助层材料等，应优先由稳定且有效的材料支撑。然而，用于有机电子装置的稳定且有效的有机材料层还未充分地进行开发。因此，需要不断开发新材料。

技术实现思路

[0012]为了解决上述
技术介绍
的问题，本专利技术展示了一种具有新颖结构的化合物，并且当将该化合物应用于有机电子元件时，已经发现可以显著提高装置的发光效率、稳定性和使用寿命。
[0013]因此，本专利技术的目的是提供一种新化合物、使用该化合物的有机电子元件及其电子装置。
[0014]技术方案
[0015]本专利技术提供了由式1表示的化合物。
[0016][0017]在另一方面，本专利技术提供了包含由式1表示的化合物的有机电子元件及其电子装置。
[0018]专利技术的效果
[0019]通过使用根据本专利技术的化合物，可以实现装置的高发光效率、低驱动电压和高耐热性，并且可以极大地提高装置的颜色纯度和使用寿命。
附图说明
[0020]图1至图3是根据本专利技术的有机电致发光装置的示例性视图。
具体实施方式
[0021]在下文，将详细地描述本专利技术的一些实施方案。此外，在本专利技术的以下描述中，当在本文中并入已知功能和配置的详细描述可能使本专利技术的主题相当不清楚时，将省略该详
细描述。
[0022]此外，当描述本专利技术的组件时，本文可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这些术语中的每一个不用于限定相应组件的实质、顺序或次序，而仅用于区分相应组件与其它组件。应注意，如果组件被描述为“连接”、“联接”或“连接”至另一个组件，则该组件可以直接连接或连接至其它组件，但另一个组件可以“连接”、“联接”或“连接”在各组件之间。
[0023]如说明书和所附权利要求书中使用，除非另外说明，否则以下是如下术语的含义。
[0024]除非另外说明，否则如本文使用的术语“卤代”或“卤素”包括氟、溴、氯或碘。
[0025]除非另外说明，否则如本文使用的术语“烷基”或“烷基基团”具有单键，其具有1个至60个碳原子，并且意指饱和脂肪族官能团，包括直链烷基基团、支链烷基基团、环烷基基团(脂环族)、被烷基取代的环烷基基团或被环烷基取代的烷基基团。
[0026]除非另外说明，否则如本文使用的术语“烯基”或“炔基”具有双键或叁键，其具有2个至60个碳原子，但不限于此，并且包括直链或支链基团。
[0027]除非另外说明，否则如本文使用的术语“环烷基”意指形成具有3个至60个碳原子的环的烷基，但不限于此。
[0028]除非另外说明，否则如本文使用的术语“烷氧基基团”、“烷氧基”或“烷基氧基基团”意指连接至烷基基团的氧基，并且具有1个至60个碳原子，但不限于此。
[0029]除非另外说明，否则如本文使用的术语“芳基氧基基团”或“芳氧基基团”意指连接至芳基基团的氧基，并且具有6个至60个碳原子，但不限于此。
[0030]除非另有说明，本专利技术中使用的术语“芳基”和“亚芳基”分别具有6至60个碳原子，但不限于此。在本专利技术中，芳基或亚芳基是指单环或多环芳族，并且包括由连接或参与反应的相邻取代基形成的芳族环。
[0031]例如，芳基可以是苯基、联苯基、芴基或螺芴基。
[0032]前缀“芳基”或“芳”意指被芳基基团取代的基团。例如，芳基烷基可以是被芳基取代的烷基，并且芳基烯基可以是被芳基取代的烯基，并且被芳基取代的基团具有如本文定义的碳原子数。
[0033]此外，当前缀依次命名时，这意味着按首先描述的顺序列出取代基。例如，芳基烷氧基意指被芳基取代的烷氧基，烷氧基羰基意指被烷氧基取代的羰基，并且芳基羰基烯基也意指被芳基羰基取代的烯基，其中芳基羰基可以是被芳基取代的羰基。
[0034]除非另外说明，否则如本文使用的术语“杂环基团”含有一个或多个杂原子，但不限于此，具有2个至60个碳原子，包括单环或多环中的任一个，并且可以包括杂脂肪族环和杂芳族环。此外，也可以与相邻基团结合而形成杂环基团。
[0035]除非另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.由式1表示的化合物，式1其中，1)Ar1选自氢、氘、C6‑
C
12
芳基基团和C1‑
C
10
烷基基团；2)R1选自氢、氘、C6‑
C
60
芳基基团，其中在a为2或更大的情况下，多个R1是相同或不同的，并且相邻基团可以彼此键合以形成环；3)R2、R3和R4各自独立地选自氢、氘、C6‑
C
60
芳基基团，其中在b、c和d为2或更大的情况下，多个R2、R3和R4各自是相同或不同的；4)a为0至4的整数，b为0至6的整数，c和d各自独立地为0至7的整数。2.如权利要求1所述的化合物，其中重组能量值为0.1600至0.2200。3.如权利要求1所述的化合物，其中重组能量值为0.1600至0.2000。4.如权利要求1所述的化合物，其中重组能量值为0.1700至0.1900。5.如权利要求1所述的化合物，其中式1由以下式1
‑
1至式1
‑
3中的任一个表示：其中，1)R1、R2、R3、R4、a、b、c和d与权利要求1中定义的相同；2)Ar2具有与权利要求1中的Ar1相同的定义。6.如权利要求1所述的化合物，其中式1由以下化合物P
‑
1至化合物P
‑
50中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李允硕，李南杰，张在完，兪在德，文成允，朴钟光，李仁求，
申请(专利权)人：德山新勒克斯有限公司，
类型：发明
国别省市：