耦合到下拉晶体管的字线及相关装置、系统及方法制造方法及图纸

本申请大体上涉及耦合到下拉晶体管的字线及相关装置、系统及方法。公开包含耦合到下拉晶体管的字线的存储器装置。存储器装置可包含若干存储器单元、第一字线及第二字线。所述第一字线可经配置以将电压施加到若干晶体管以存取所述若干存储器单元中的至少一者。所述第一字线可包含电耦合到第一驱动器的第一部分及电耦合到下拉晶体管的栅极的第二部分。所述第二字线可定位成邻近于所述第一字线。所述第二字线可包含电耦合到第二驱动器的第三部分及电耦合到所述下拉晶体管的端子的第四部分。还公开相关联系统。分。还公开相关联系统。分。还公开相关联系统。

【技术实现步骤摘要】
耦合到下拉晶体管的字线及相关装置、系统及方法
[0001]优先权主张
[0002]本申请要求2020年11月12日申请的针对“耦合到下拉晶体管的字线及相关装置、系统及方法(WORD LINES COUPLED TO PULL
‑
DOWN TRANSISTORS,AND RELATED DEVICES,SYSTEMS,AND METHODS)”的序列号为17/096,476的美国专利申请案的申请日期的权益。


[0003]本公开的实施例涉及存储器装置。更具体来说，各种实施例涉及包含耦合到下拉晶体管的字线的存储器装置及相关方法、装置及系统。

技术介绍

[0004]存储器装置通常被提供作为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含(举例来说)随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、双倍数据速率存储器(DDR)、低功率双倍数据速率存储器(LPDDR)、相变存储器(PCM)及快闪存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：若干存储器单元；第一字线，其经配置以将电压施加到若干晶体管以存取所述若干存储器单元的至少一个存储器单元，所述第一字线包括：第一部分，其电耦合到第一驱动器；及第二部分，其电耦合到下拉晶体管的栅极；及第二字线，其定位成邻近于所述第一字线，所述第二字线包括：第三部分，其电耦合到第二驱动器；及第四部分，其电耦合到所述下拉晶体管的端子。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二字线的所述第四部分额外地电耦合到第二下拉晶体管的栅极，所述第二下拉晶体管的端子电耦合到所述第一字线的所述第二部分。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括定位成邻近于所述第一字线的第三字线，所述第三字线包括电耦合到第二下拉晶体管的端子的第五部分，所述第二下拉晶体管的栅极电耦合到所述第一字线的所述第二部分。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述第三字线的所述第五部分额外地电耦合到第三下拉晶体管的栅极，所述第三下拉晶体管的端子电耦合到所述第一字线的所述第二部分。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括定位成邻近于所述第二字线的第三字线，所述第三字线包括电耦合到第二下拉晶体管的端子的第五部分，所述第二下拉晶体管的栅极电耦合到所述第一字线的所述第二部分。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述第三字线的所述第五部分额外地电耦合到第三下拉晶体管的栅极，所述第三下拉晶体管的端子电耦合到所述第一字线的所述第二部分。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一字线基本上平行于所述第二字线延伸。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述第一字线的所述第一部分邻近于所述第二字线的所述第三部分，且所述第一字线的所述第二部分邻近于所述第二字线的所述第四部分。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括三维3D动态随机存取存储器DRAM。10.一种存储器装置，其包括：第一字线，其经配置以将电压施加到若干晶体管以存取若干存储器单元，所述第一字线包括：第一部分，其电耦合到驱动器；及第二部分，其电耦合到：第一下拉晶体管的栅极；第二下拉晶体管的端子；及第三下拉晶体管的端子。
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包括：第二字线，其定位成邻近于所述第一字线，所述第二字线包括：第三部分，其电耦合到第二驱动器；及第四部分，其电耦合到：所述第一下拉晶体管的端子；及所述第二下拉晶体管的栅极。12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：