半导体电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体电路，包括高压集成电路和开关管；高压集成电路包括驱动电路、过流保护电路和故障逻辑控制电路，所述驱动电路连接于所述开关管；所述过流保护电路包括有比较器、编码器、多个开关组件和多路电源电容，所述比较器的正极输入端连接至过流检测信号输入端，各路所述电源电容的正极通过所述开关组件连接至所述比较器的负极输入端，所述编码器具有和各路所述电源电容对应的输出控制端，各路所述输出控制端连接至各个所述开关组件，比较器的输出端连接至所述故障逻辑控制电路；其中，至少两路所述电源电容的电压不同。该半导体电路可以减少因过流保护触发电压阈值单一引起的误关断情况的发生，提高电路运行的稳定性和可靠性。的稳定性和可靠性。的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本技术涉及一种半导体电路，属于半导体电路应用


技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，其也被称智能功率模块(IPM，Intelligent Power Module)。智能功率模块把功率开关器件和HVIC(High Voltage Integrated Circuit，高压集成电路)集成在一起，并内置有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块一方面可以通过接收MCU的控制信号并驱动后续电路工作，另一方面又可以将系统的状态检测信号反馈回MCU。与传统分离布置的方案相比，智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是用于变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动及变频家电的理想电力电子器件。
[0003]相关技术中，高压集成电路内部都集成有过流保护电路，在出现各类过流情况时，过流保护电路可以输出相关的保护信号到故障逻辑控制电路，以使得外接处理器接收到故障信号及时动作停止电路的运行，提高电路的安全性和可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，其特征在于，所述半导体电路包括：高压集成电路和开关管；所述高压集成电路包括驱动电路、过流保护电路和故障逻辑控制电路，所述驱动电路连接于所述开关管；所述过流保护电路包括有比较器、编码器、多个开关组件和多路电源电容，所述比较器的正极输入端连接至过流检测信号输入端，各路所述电源电容的正极通过所述开关组件连接至所述比较器的负极输入端，所述编码器具有和各路所述电源电容对应的输出控制端，各路所述输出控制端连接至各个所述开关组件，所述比较器的输出端连接至所述故障逻辑控制电路；其中，至少两路所述电源电容的电压不同。2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动电路包括高压侧驱动电路和低压侧驱动电路，所述高压侧驱动电路和低压侧驱动电路连接。3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述高压侧驱动电路包括三路相同的高压驱动单元，每路所述高压驱动单元包括上桥臂信号输入端、两路高压侧供电端和高压侧控制输出端；其中，所述上桥臂信号输入端用于接收外围主控板输出的上桥臂PWM控制信号，所述两路高压侧供电端分别用于输入一相上下桥臂开关管对应的两路控制信号，所述高压侧控制输出端用于输出一路驱动一相上桥臂开关管的驱动信号。4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述高压驱动单元包括第一斯密特触发器、第一滤波电路、第一电位位移电路、第一死区互锁单元、脉冲生成电路、DV/DT滤波器电路、锁存器、或非逻辑门、UV滤波电路、第一MOS管、第二MOS管、第一限流电阻器、第二限流电阻器和第一输出驱动电路；其中，所述第一斯密特触发器的输入端为所述上桥臂信号输入端，所述第一斯密特触发器的输出端与第一滤波电路的输入端连接；所述第一滤波电路的输出端与所述第一电位位移电路的输入端连接；所述第一电位位移电路的输出端与所述第一死区互锁单元的输入端连接；所述第一死区互锁单元的输出端与所述脉冲生成电路的输入端连接；所述脉冲生成电路的输出端与所述第一MOS管、所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管、所述第二MOS管的漏极与所述DV/DT滤波器电路的输入端连接，所述第一MOS管的漏极通过所述第一限流电阻器连接至所述高压侧供电端的正极端，所述第二MOS管的漏极通过所述第二限流电阻器连接至所述高压侧供电端的正极端；所述DV/DT滤波器电路的输出端与所述锁存器的第一输入端连接，所述UV滤波电路的输出端与所述锁存器的第二输入端连接；所述DV/DT滤波器电路的输出端与所述或非逻辑门的第一输入端连接，所述锁存器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：