变能器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种变能器，无功功率补偿效果好。技术方案：具有三相单元电路，三相单元电路星接，公共端不接地；每一相单元电路的结构为，二极管（Ｄ１）、可控硅（Ｔ１）串联接铁芯线圈的一端，二极管（Ｄ２）、可控硅（Ｔ２）串联接铁芯线圈的另一端，二极管（Ｄ１）的正向端与二极管（Ｄ２）的负相端连接后接电源；二极管（Ｄ３）、可控硅（Ｔ３）串联接铁芯线圈的一端，二极管（Ｄ４）、可控硅（Ｔ４）串联接铁芯线圈的另一端，二极管（Ｄ３）的正向端与二极管（Ｄ４）的负相端连接构成单元电路的尾端；二极管（Ｄ１）与二极管（Ｄ３）的负相端之间、二极管（Ｄ２）与二极管（Ｄ４）的正相端之间均接有电容；可控硅的控制端均接触发器。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电网无功功率补偿装置，尤其是一种变能器。
技术介绍
目前，电网无功功率补偿方法有电容补偿和同步电机补偿等方式，补偿后的功率因数为0.8左右。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种无功功率补偿效果好的的变能器。技术方案一种变能器，由二极管、可控硅、铁芯线圈等构成，其特征在于具有三相单元电路，三相单元电路星接，公共端不接地；每一相单元电路的结构为，二极管(D1)、可控硅(T1)串联接铁芯线圈的一端，二极管(D2)、可控硅(T2)串联接铁芯线圈的另一端，二极管(D1)的正向端与二极管(D2)的负相端连接后接电源；二极管(D3)、可控硅(T3)串联接铁芯线圈的一端，二极管(D4)、可控硅(T4)串联接铁芯线圈的另一端，二极管(D3)的正向端与二极管(D4)的负相端连接构成单元电路的尾端；二极管(D1)与二极管(D3)的负相端之间、二极管(D2)与二极管(D4)的正相端之间均接有电容；可控硅的控制端均接触发器。有益效果由于本技术采用特有的电路结构，能够直接将无功电能补偿为有功电能，使得功率因数能够接近1。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式如图所示，具有三相单元电路，三相单元电路星接，公共端不接地；图中给出的是其中一相单元电路的结构，单元电路B、C与给出的单元电路结构相同。二极管D1、可控硅T1串联接铁芯线圈L的一端，二极管D2、可控硅T2串联接铁芯线圈L的另一端，二极管D1的正向端与二极管D2的负相端连接后接电源U；二极管D3、可控硅T3串联接铁芯线圈L的一端，二极管D4、可控硅T4串联接铁芯线圈的另一端，二极管D3的正向端与二极管D4的负相端连接构成单元电路的尾端；二极管D1与二极管D3的负相端之间、二极管D2与二极管D4的正相端之间分别接电容C1、C2；可控硅的控制端均接触发器J。工作时，将变能器并联接入电网，触发器通过对可控硅的控制，使得当电源电压达到峰值时，电源电压倒向180度。三个铁芯线圈的电流方向相同，都是100Hz的直流波动电流。对于铁芯线圈，电源电压从零到峰值阶段相当于变压器的一次线圈，电源电压从峰值到零阶段相当于变压器的二次线圈。一次线圈和电源串联，二次线圈和电网上的负载串联，即相当于一次线圈用负载退磁电流(实为电源电流)互感给二次线圈，给负载提供充磁电流。变能器替代了电源给负载提供磁化电流，电源不给负载磁化电流，电源上也就没有无功电流了，从而有效地实现了无功功率补偿。并且，通过倒向的早晚，可以自动调节功率因数。实施时，还可以在中性点处串直流电抗器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种变能器，由二极管、可控硅、铁芯线圈等构成，其特征在于：具有三相单元电路，三相单元电路星接，公共端不接地；每一相单元电路的结构为，二极管（Ｄ１）、可控硅（Ｔ１）串联接铁芯线圈的一端，二极管（Ｄ２）、可控硅（Ｔ２）串联接铁芯线圈的另一端，二极管（Ｄ１）的正向端与二极管（Ｄ２）的负相端连接后接电源；二极管（Ｄ３）、可控硅（Ｔ３）串联接铁芯线圈的一端，二极管（Ｄ４）、可控硅（Ｔ４）串联接铁芯线圈的另一端，二极管（Ｄ３）的正向端与二极管（Ｄ４）的负相端连接构成单元电路的尾端；二极管（Ｄ１）与二极管（Ｄ３）的负相端之间、二极管（Ｄ２）与二极管（Ｄ４）的正相端之间均接有电容；可控硅的控制端均接触发器。

【技术特征摘要】
1.一种变能器，由二极管、可控硅、铁芯线圈等构成，其特征在于具有三相单元电路，三相单元电路星接，公共端不接地；每一相单元电路的结构为，二极管(D1)、可控硅(T1)串联接铁芯线圈的一端，二极管(D2)、可控硅(T2)串联接铁芯线圈的另一端，二极管(D1)的正向端与二极管(D2)的负相端连接后接电源；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天刚，
申请(专利权)人：李天刚，
类型：实用新型
国别省市：23[中国|黑龙江]