第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件制造技术

本发明专利技术涉及第一和第二有机半导体层以及包括该第一和第二有机半导体层的有机电子器件，其中所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中a)所述第一有机半导体层包含：金属掺杂剂，和式(I)的化合物：以及b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。合物。合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件


[0001]本专利技术涉及第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件。本专利技术还涉及包括所述有机电子器件的显示装置。

技术介绍

[0002]作为自发光器件的有机电子器件如有机发光二极管OLED具有宽视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。就此而言，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
[0003]当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。应当平衡空穴和电子的注入和流动，以使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。
[0004]有机发光二极管的性能可以会受到半导体层的特性的影响，并且其中，可能会受到半导体层的有机材料的特性的影响。
[0005]特别是，需要开发能够增加电子迁移率并同时增加电化学稳定性的半导体层，使得有机电子器件如有机发光二极管可以应用于大尺寸平板显示器。
[0006]此外，需要开发能够在较高的电流密度下并且由此在较高的亮度下具有延长寿命的半导体层。特别是需要关于降低工作电压来开发有机半导体材料或半导体层，这对于降低例如移动显示装置的功率消耗和增加电池寿命很重要。
[0007]仍然需要改进有机半导体材料、半导体层以及其有机电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性来实现增加的寿命。

技术实现思路

[0008]本专利技术的一个方面提供了一种有机电子器件，包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中
[0009]a)所述第一有机半导体层包含：
[0010]金属掺杂剂，和
[0011]式(I)的化合物：
[0012][0013]其中，
[0014]Ar1和Ar2相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C6至C
36
芳基、被取代
或未被取代的C3至C
36
杂芳基，其中，所述Ar1和Ar2基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基；
[0015]L是单键、被取代或未被取代的C6至C
18
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
18
杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；
[0016]Ar3是选自被取代或未被取代的C6至C
36
芳基、被取代或未被取代的C6至C
36
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基基团、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2
‑
a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；
[0017]Ar4是独立地选自H、被取代或未被取代的C6至C
18
芳基、被取代或未被取代的C3至C
20
杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，
[0018][0019]其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X2可以选自NH、NR2、S、O或C(R1)2；
[0020]n为0、1、2、3或4；
[0021]其中L、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和/或N的取代基独立地选自：
[0022]‑
H、C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C3至C
16
支链烷基、C3至C
16
环状烷基、C3至C
16
支链烷氧基、C3至C
16
环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基、
‑
PX3(R2)2、D、F或CN；
[0023]‑
R1和R2独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基，并且
[0024]‑
两个R1可以连接在一起以形成环，
[0025]‑
X3可以选自S或O；以及
[0026]b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。
[0027]如果没有另外说明，则杂原子可以单独选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选地选自N、O和
S，并且更优选为N。
[0028]根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中
[0029]a)所述第一有机半导体层包含：
[0030]金属掺杂剂，和
[0031]式(I)的化合物：
[0032][0033]其中，
[0034]Ar1和Ar2相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C6至C
36
芳基、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基，其中，所述Ar1和Ar2基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基；
[0035]L是被取代或未被取代的C6至C
18
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
18
杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中a)所述第一有机半导体层包含：金属掺杂剂，和式(I)的化合物：其中，Ar1和Ar2相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C6至C
36
芳基、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基，其中，Ar1和Ar2基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基；L是单键、被取代或未被取代的C6至C
18
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
18
杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；Ar3是选自被取代或未被取代的C6至C
36
芳基、被取代或未被取代的C6至C
36
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基基团、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2
‑
a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；Ar4是独立地选自H、被取代或未被取代的C6至C
18
芳基、被取代或未被取代的C3至C
20
杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X2选自NH、NR2、S、O或C(R1)2；n为0、1、2、3或4；其中L、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和/或N的取代基独立地选自：
‑
H、C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C3至C
16
支链烷基、C3至C
16
环状烷基、C3至C
16
支链烷氧基、C3至C
16
环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
16
烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基、
‑
PX3(R2)2、D、F或CN；
‑
R1和R2独立地选自C6至C
12
芳基、C3至C
12
杂芳基、C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、部分或全氟化的C1至C
16
烷基、部分或全氟化的C1至C
16
烷氧基、部分或全氘化的C1至C
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烷基、部分或全氘化的C1至C
16
烷氧基，并且
‑
两个R1可以连接在一起以形成环
‑
X3选自S或O；以及b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中
‑
Ar1和Ar2独立地选自氢、苯基、吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；或
‑
Ar1是氢并且Ar2是吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；
‑
Ar1是苯基并且Ar2是吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；
‑
Ar1是氢并且Ar2是吡啶基基团；
‑
Ar1是苯基并且Ar2是吡啶基基团；或
‑
Ar1和Ar2是吡啶基基团。4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的有机电子器件，其中L是被取代或未被取代的C6至C
18
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
18
杂芳亚基，优选地是被取代或未被取代的C6至C
18
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
18
杂芳亚基，所述基团选自被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；或L是单键；或L选自未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基，优选地L是单键或选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基。5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的有机电子器件，其中Ar3是被取代或未被取代的C6至C
36
芳基、被取代或未被取代的C6至C
36
芳亚基、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳基基团、被取代或未被取代的C3至C
36
杂芳亚基基团，所述基团选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃莱娜，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：