尾排结构和具有其的LPCVD设备制造技术

本实用新型专利技术公开了尾排结构和具有其的LPCVD设备，尾排结构包括第一管路组件，第二管路，真空泵组件和第三管路。根据本实用新型专利技术的尾排结构，可以作为其他管路损坏后的备选通路；可以在不需要精准控制气压时使用，以减少控制调节阀的使用，增加控制调节阀的使用寿命；可以更加安全、有效地处理设备异常时的气体排放问题，将炉管中的废气等气体输送到尾气处理装置中。处理装置中。处理装置中。

【技术实现步骤摘要】
尾排结构和具有其的LPCVD设备


[0001]本技术涉及LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积)系统领域，特别涉及尾排结构和具有其的LPCVD设备。

技术介绍

[0002]LPCVD是指通过气体化学反应，在衬底(硅片、晶圆等)表面沉积一层薄膜。广泛用于沉积多晶硅、氧化硅、掺杂多晶硅、氮化物及氧化锌等，同时LPCVD 设备也可以制备遂穿氧化层(以下简称氧化层)，该氧化层对光伏电池的光电转换效率影响非常大，是高效光伏电池的最关键结构之一。
[0003]上述沉积反应是在反应室中进行的，尾排结构的作用是将反应室的废气等气体有效输送到尾气处理厂务系统中，并使反应室内形成合适的工艺压力，确保沉积品质及效率，属于设备较为关键的结构单元。炉管内的工艺气体大都对人体有害，且易燃易爆，其中磷烷、硼烷等气体有剧毒性。目前尾排结构，当真空泵组件卡死、设备断电等异常情况时，气体会被封死在炉管及尾排管路内，或者当炉管内气压大等异常情况，也有通过厂务排风管道排出废气的方式，这些情况还是存在安全风险的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种尾排结构，其特征在于，包括：第一管路组件(121)，所述第一管路组件(121)的进气端用于与炉管(201)的出气端连通，所述第一管路组件(121)包括顺气流方向依次设置的第一阀门(122)和控制调节阀(123)；第二管路(131)，所述第二管路(131)的进气端用于与炉管(201)的出气端连通，所述第二管路(131)上设置有第二阀门(132)，所述第二阀门(132)的出气端与所述控制调节阀(123)的出气端连通；真空泵组件(140)，所述真空泵组件(140)的进气端与所述控制调节阀(123)的出气端连通；第三管路(151)，所述第三管路(151)与所述第一管路组件(121)和/或所述真空泵组件(140)并联，所述第三管路(151)上设置有第三阀门(152)。2.根据权利要求1所述的尾排结构，其特征在于，所述第三管路(151)与所述第一管路组件(121)和所述真空泵组件(140)并联，所述第三阀门(152)的进气端用于与所述炉管(201)的出气端连通，所述第三阀门(152)的出气端与所述真空泵组件(140)的出气端连通。3.根据权利要求1所述的尾排结构，其特征在于，所述第三管路(151)与所述第一管路组件(121)并联，所述第三阀门(152)的进气端用于与所述炉管(201)的出气端连通，所述第三阀门(152)的出气端与所述控制调节阀(123)的出气端连通。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，李锐，罗伟斌，李美诗，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：