【技术实现步骤摘要】
本技术属于电能质量控制
,特别是提供了一种超级电容储能控制装置。
技术介绍
随着世界经济的发展,能源及环境越来越成为人们关注的焦点,节能和环保成为工业发展的新目标。同时,许多场合也需要在短时间内输出高能量。超级电容既能像静电电容一样具有很高的放电功率,又像电池一样具有很大的电荷储存能力,使得它能用于短时间内大功率充放电的场合。本技术提供的超级电容储能控制装置将为超级电容在电能质量控制
的应用提供技术支持。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超级电容储能控制装置,它能够适应超级电容各种需要快速充放电的场合。采用由二极管和IGBT构成的升降压斩波电路作为充放电电路,通过对IGBT的控制实现对超级电容充放电的控制,速度快,效率高。 本技术由二极管1~4、绝缘栅双极晶体管IGBT5及IGBT6、电感7、超级电容8组成,采用四只二极管、两只IGBT和一只电感构成直流斩波电路。二极管4的阳极、阴极分别接至超级电容8的负极、正极;二极管3的阳极、阴极分别接至超级电容8的正极、IGBT5的集电极。二极管1、二极管2分别与IGBT5、IGBT6反向并联,电感7的两 ...
【技术保护点】
一种超级电容储能控制装置,其特征在于:由二极管、绝缘栅双极晶体管IGBT、电感(7)、超级电容(8)组成,第四二极管(4)的阳极、阴极分别接至超级电容(8)的负极、正极;第三二极管(3)的阳极、阴极分别接至超级电容(8)的正极、IGBT5的集电极,第一二极管(1)、第二二极管(2)分别与第一IGBT(5)、第二IGBT(6)反向并联,电感(7)的两个端点分别连接到超级电容(8)的正极和第一IGBT(5)的发射极;第二IGBT(6)的集电极与第一IGBT(5)的发射极相连,第二IGBT(6)的发射极与超级电容的负极相连。
【技术特征摘要】
一种超级电容储能控制装置,其特征在于由二极管、绝缘栅双极晶体管IGBT、电感(7)、超级电容(8)组成,第四二极管(4)的阳极、阴极分别接至超级电容(8)的负极、正极;第三二极管(3)的阳极、阴极分别接至超级电容(8)的正极、IGBT5的集电极,第一二极管(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:劳斯佳,戴成昕,叶飞,单任仲,尹忠东,
申请(专利权)人:华北电力大学,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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