电平转换电路及终端制造技术

一种电平转换电路及终端，电平转换电路包括依次串联的第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管；依次串联的第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管；依次串联的第五PMOS管、第七PMOS管、第五NMOS管和第七NMOS管；依次串联的第六PMOS管、第八PMOS管、第六NMOS管和第八NMOS管；第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极相耦接，作为电平转换电路的第一输出端；第七PMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极相耦接，作为电平转换电路的第二输出端。本发明专利技术技术方案能够使用同一电路结构实现升压转换和降压转换。压转换和降压转换。压转换和降压转换。

【技术实现步骤摘要】
电平转换电路及终端


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种电平转换电路及终端。

技术介绍

[0002]电压电平转换电路(levelshiftcircuit)是用来把输入电压转换成不同的输出电压。
[0003]但是，现有技术对输入信号升压(高电平转换)和降压(低电平转换)需要使用不同的电路结构。对于具有升压和降压需求的终端，需要同时设置高电平转换电路和低电平转换电路，导致电路面积大，电平转换复杂。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是如何使用同一电路结构实现升压转换和降压转换。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种电平转换电路，电平转换电路包括：依次串联的第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，所述第一PMOS管的源极接入正电源电压，所述第一PMOS管的栅极接入输入信号，所述第三PMOS管的栅极接入第一电压，所述第一NMOS管的栅极接入第二电压，所述第三NMOS管的源极接入负电源电压，所述第三NMOS管的栅极接入所述输入信号；依次串联的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：依次串联的第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，所述第一PMOS管的源极接入正电源电压，所述第一PMOS管的栅极接入输入信号，所述第三PMOS管的栅极接入第一电压，所述第一NMOS管的栅极接入第二电压，所述第三NMOS管的源极接入负电源电压，所述第三NMOS管的栅极接入所述输入信号；依次串联的第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管，所述第二PMOS管的源极接入所述正电源电压，所述第二PMOS管的栅极接入所述输入信号，所述第四NMOS管的源极接入所述负电源电压，所述第四NMOS管的栅极接入所述输入信号；依次串联的第五PMOS管、第七PMOS管、第五NMOS管和第七NMOS管，所述第五PMOS管的源极接入所述正电源电压，所述第五PMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压，所述第七PMOS管的栅极耦接所述第四PMOS管的漏极，所述第七PMOS管的漏极耦接所述第四PMOS管的栅极，所述第五NMOS管的栅极耦接所述第四PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的漏极耦接所述第四NMOS管的栅极，所述第七NMOS管的源极接入所述负电源电压，所述第七NMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压；依次串联的第六PMOS管、第八PMOS管、第六NMOS管和第八NMOS管，所述第六PMOS管的源极接入所述正电源电压，所述第六PMOS管的栅极接入所述输入信号的反相电压，所述第八PMOS管的栅极接入所述第一电压，所述第六NMOS管的栅极接入所述第二电压，所述第八NMOS管的源极接入所述负电源电压，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁启源，王富中，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：