【技术实现步骤摘要】
单晶圆湿处理设备
[0001]本技术涉及一种半导体晶圆处理装置;详细而言,涉及一种单晶圆湿处理设备。
技术介绍
[0002]单晶圆旋转清洗设备(Single Wafer Spin Cleaner)的典型制程,一般会先对晶圆喷洒各种化学药液进行清洗或蚀刻制程,后续各种化学药液制程之间会使用去离子水(DI Water)来去除先前制程所残留于所述晶圆的化学药液,或者是在完成清洗或蚀刻后也会使用去离子水(DI Water)来去除先前制程所残留于所述晶圆之化学药液,最终将所述晶圆快速旋转干燥与吹氮气于所述晶圆表面,进而确保所述晶圆完全干燥。
[0003]当单晶圆旋转清洗或蚀刻设备使用去离子水(DI Water)清洗晶圆时,产生的废水会由药液回收环下方的腔体底盘收集,并由主废水排放管排出。然而,有些废水可能因喷洒强劲、溅射或是水气挥发等因素,从而渗入到药液回收导管内部,以致造成药液回收遭受废水污染,而无法重复利用/使用回收药液,增加制程成本。
技术实现思路
[0004]本技术之一目的在于提供一种单晶圆湿处理设备,能够 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶圆湿处理设备,其特征在于,透过一液体供应装置喷洒一晶圆,该单晶圆湿处理设备包括:一操作壳体,包含一集液腔室以及与该集液腔室分别连通的一回收导管及一第一废水排放管,其中该回收导管还包含彼此不连通的一第一回收内管及一第二废水排放管;一驱动机构,包含承载所述晶圆的一转盘以及驱动该转盘转动的一驱动组件,该转盘设置在该集液腔室内;以及一升降机构,包含相对该操作壳体移动的一回收环以及跟随该回收环移动的一第二回收内管,该回收环沿着该操作壳体内壁移动,该第二回收内管相对该第一回收内管移动。2.如权利要求1所述的单晶圆湿处理设备,其特征在于,该第二回收内管还包含一第一管部以及套设于该第一管部外的一第二管部,该第一管部的一端插设于该第一回收内管内,该第二管部的一端则套设于该第一回收内管外,该第一管部及该第二管部会相对该第一回收内管移动。3.如权利要求2所述的单晶圆湿处理设备,其特征在于,该第一管部的直径小于该第一回收内管的直径,该第一回收内管的直径小于该第二管部的直径。4.如权利要求1所述的单晶圆湿处理设备,其特征在于,当该升降机构带动该回收环移动至一第一位置时,该操作壳体暴露该转盘并使该第二回收内管与该第一回收内管彼此重迭,当该升降机构带动该回收环移动至一第二位置时,该回收环的开口平行于该转盘上方的所述晶圆并使该第二回收内管与该第一回收内管部分重迭,当该升降机构带动该回收环移动至一第三位置时,该回收环的开口高于该转盘上方的所述晶圆并使该第二回收内管与该第一回收内管部分重迭。5.如权利要求4所述的单晶圆湿处理设备,其特征在于,在该第二位置的该第二回收内管与该第一回收内管彼此重迭的比例大于在该第三位置的该第二回收内管与该第一回收内管彼此重迭的比例。6.如权利要求1所述的单晶圆湿处理设备,其特征在于,该回收环还包含一本体、一第一导引部、一...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建胜,
申请(专利权)人:弘塑科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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