铂错合物、含氮双牙配位基及可发出可见光或近红外光的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种铂错合物、含氮双牙配位基及可发出可见光或近红外光的装置。铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：铱错合物具有以下结构，其中其中A1至A3各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环，A3可视情况形成于A1与A2之间；X1、X2以及X3各自独立地为碳或氮；R1为氢、经取代或未经取代的C1‑

【技术实现步骤摘要】
铂错合物、含氮双牙配位基及可发出可见光或近红外光的装置


[0001]本专利技术是有涉及一种金属错合物及其应用，尤其涉及一种铂错合物、含氮双牙配位基及可发出可见光或近红外光的装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管组件拥有高亮度、屏幕反应速度快、轻薄短小、全彩、无视角差、不需液晶显示器式背光板以及节省能源及耗电量等优点，目前被广泛应用于制作大面积、高亮度、全彩化的平面显示器。
[0003]为了发展发光范围涵盖可见光区至近红外光区的各项新型发光组件，开发高稳定及高发光效率的各色光发光材料为现今研究OLED的主要目标。目前已知四配位的铂错合物具有适合的放光性质，但其合成过程往往需要较耗时的纯化步骤，造成量产上的困难。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种铂错合物、含氮双牙配位基及其应用。本专利技术制备出的铂错合物结构稳定、发光效率优异(特别是在红光至近红外光区)且合成步骤简易。
[0005]本专利技术提供一种铂错合物，具有由以下通式(I)所表示的结构：
[0006][0007]其中A1至A3各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环，A3可视情况形成于A1与A2之间；X1、X2以及X3各自独立地为碳或氮；R1为氢、经取代或未经取代的C1‑
C6烷基、
‑
CF2H、
‑
CFH2、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或C
m
F
2m+1
，m为1～5的整数；R2以及R3各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1‑
C
12
烷基、经取代或未经取代的C1‑
C6烷氧基、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或
‑
C
n
F
2n+1
，n为0～3的整数；p、q各自独立地为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环；以及当q等于2，两个R3可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环。
[0008]本专利技术提供一种可发出可见光或近红外光的装置，包括上述的铂错合物。
[0009]本专利技术提供一种含氮双牙配位基，具有由以下通式(II)所表示的结构：
[0010][0011]其中*为键结点；X1以及X2各自独立地为碳或氮；R1为氢、经取代或未经取代的C1‑
C6烷基、
‑
CF2H、
‑
CFH2、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或C
m
F
2m+1
，m为1～5的整数；R2以及R3各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1‑
C
12
烷基、经取代或未经取代的C1‑
C6烷氧基、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或
‑
C
n
F
2n+1
，n为0～3的整数；p、q各自独立地为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环；以及当q等于2，两个R3可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环。
[0012]基于上述，本专利技术的铂错合物具有两个含氮芳(IC基螯合配体，且在两个含氮芳基螯合配体之间具有一个新增的六元环状结构，故可以更加稳定配体与平面结构刚性。本专利技术的铂错合物具有更佳的平面结构构型与更有效的双键轨域共轭，后者是由中心的六元环状结构提供。本专利技术中，这两项结构特性使得制备出的铂错合物在近红外光区具有更佳的光物理性质，例如：红移发射光谱波长暨增加发光量子效率。
[0013]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的配位基前驱物L1的X
‑
光晶体衍射分子结构图；
[0015]图2为本专利技术化合物(ID
‑
6)的X
‑
光晶体衍射分子结构图；
[0016]图3为本专利技术化合物(IA
‑
1)、(IA
‑
2)、(IA
‑
3)以及(IA
‑
4)的蒸镀薄膜的放射光谱图；
[0017]图4为本专利技术化合物(IA
‑
1)、(IA
‑
2)、(IA
‑
3)以及(IA
‑
4)的热重分析图；
[0018]图5为本专利技术化合物(IB
‑
1)以及(IB
‑
2)的蒸镀薄膜的放射光谱图；
[0019]图6为本专利技术化合物(IB
‑
1)以及(IB
‑
2)的热重分析图；
[0020]图7为本专利技术化合物(ID
‑
1)、(ID
‑
2)、(ID
‑
3)、(ID
‑
4)、(ID
‑
5)、(ID
‑
6)以及(ID
‑
7)的蒸镀薄膜的放射光谱图；
[0021]图8为本专利技术化合物(ID
‑
1)、(ID
‑
2)、(ID
‑
3)、(ID
‑
4)、(ID
‑
5)、(ID
‑
6)以及(ID
‑
7)的热重分析图。
具体实施方式
[0022]以下将通过实施方式对本专利技术作进一步说明，但所述实施方式仅为例示说明之用，而非用以限制本专利技术的范围。
[0023][铂错合物的结构][0024]本专利技术提供一种铂错合物，具有由以下通式(I)所表示的结构：
[0025][0026]其中A1至A3各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环，A3可视情况形成于A1与A2之间；X1、X2以及X3各自独立地为碳或氮；R1为氢、经取代或未经取代的C1‑
C6烷基、
‑
CF2H、
‑
CFH2、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或C
m
F
2m+1
，m为1～5的整数；R2以及R3各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1‑
C
12
烷基、经取代或未经取代的C1‑
C6烷氧基、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或
‑
C
n
F
2n+1
，n为0～3的整数；p、q各自独立地为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环；以及当q等于2，两个R3可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环。
[0027]上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A3各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环，A3可视情况形成于A1与A2之间；X1、X2以及X3各自独立地为碳或氮；R1为氢、经取代或未经取代～的C1‑
C6烷基、
‑
CF2H、
‑
CFH2、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或C
m
F
2m+1
，m为15的整数；R2以及R3各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1‑
C
12
烷基、经取代或未经取代的C1‑
C6烷氧基、取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或
‑
C
n
F
2n+1
，n为0～3的整数；p、q各自独立地为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环；以及当q等于2，两个R3可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环。2.根据权利要求1所述的铂错合物，具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中X4为碳或氮；R4为经取代或未经取代的C1‑
C6烷基、
‑
CF2H、
‑
CFH2、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或C
m
F
2m+1
，m为1～5的整数；R5以及R6各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1‑
C
12
烷基、经取代或未经取代的C1‑
C6烷氧基、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或
‑
C
n
F
2n+1
，n为0～3的整数；r、s各自独立地为1～2的整数；当r等于2，两个R5可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环；以及当s等于2，两个R6可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环。
3.根据权利要求2所述的铂错合物，具有由式(IA
‑
1)至式(IA
‑
22)中任一者所表示的结构：
4.根据权利要求1所述的铂错合物，具有由以下通式(IB)所表示的结构：其中X5为碳或氮；R4为经取代或未经取代的C1‑
C6烷基、
‑
CF2H、
‑
CFH2、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或C
m
F
2m+1
，m为1～5的整数；R5以及R6各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1‑
C
12
烷基、经取代或未经取代的C1‑
C6烷氧基、经取代或未经取代的C6‑
C
12
芳基或
‑
C
n
F
2n+1
，n为0～3的整数；r、s各自独立地为1～2的整数；当r等于2，两个R5可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环；以及当s等于2，两个R6可彼此连接形成C3‑
C8芳香环或含氮杂芳香环。5.根据权利要求4所述的铂错合物，具有由式(IB
‑
1)至式(IB
‑
28)中任一者所表示...

【专利技术属性】
技术研发人员：季昀，王圣夫，傅俐雯，
申请(专利权)人：香港城市大学，
类型：发明
国别省市：