一种半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有接触孔；在接触孔的底部形成SiGe层；在SiGe层上方沉积欧姆金属层；在欧姆金属层上方沉积覆盖金属层；对欧姆金属层进行热处理后，去除覆盖金属层；在去除覆盖金属层后的欧姆金属层上方沉积扩散阻挡层及主体金属层；在接触孔的内部预先形成SiGe层，可在接触孔内部形成锗硅化物；由于Ge比Si的电子移动速率快，因此可实现较低的电阻率，确保半导体结构的性能；且在形成金属结构时不需要消耗大量的硅基板，提高锗硅化物的形成位置，确保欧姆接触金属结构与硅基板之间保持浅接面；因减少了硅基板的消耗量，改善锗硅化物的不均匀现象。改善锗硅化物的不均匀现象。改善锗硅化物的不均匀现象。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在硅基板上形成的半导体设备，为了使得金属和硅基板之间具有稳定的欧姆接触，一般需要根据存储设备的种类和用途，在金属和硅之间形成各种硅化物silicide物质。
[0003]现有技术中，欧姆接触的金属结构是利用TiSi2、CoSi等金属硅化物形成的，虽然比较耐火，具有很高的热稳定性，但在形成过程中，对硅基板的消耗量却很大。因此，当欧姆接触的尺寸越来越小时，比如对于20nm以下的存储设备来说，会存在不均匀agglomeration现象和高电阻率现象。
[0004]其他的传统技术，也有利用对硅基板消耗量相对少的NiSi或贵重金属化合物noble metal silicide来实现欧姆接触的金属结构。虽然NiSi和贵重金属化合物电阻率比TiSi2、CoSi2低，但是需要后续制备工艺都需要维持在600℃以下。而在动态随机存储器DRAM这样的存储设备中，后续制备工艺处于600℃以上的工序较多，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有接触孔；在所述接触孔的底部形成SiGe层；在所述SiGe层上方沉积欧姆金属层；在所述欧姆金属层上方沉积覆盖金属层；利用热处理工艺对所述欧姆金属层进行热处理，以使欧姆金属进入SiGe层形成锗硅化物；去除所述覆盖金属层；在去除所述覆盖金属层后的所述欧姆金属层上方沉积扩散阻挡层及主体金属层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底上包括有源区，所述接触孔露出所述半导体基底的有源区；或所述半导体基底上包括栅导体层，所述接触孔露出所述半导体基底的栅导体层；或所述半导体基底上包括金属层，所述接触孔露出所述半导体基底上的金属层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗硅化物具体包括：TiSiGe、CoSiGe及NiSiGe中的至少一种。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在接触孔的底部形成SiGe层，包括：利用PVD工艺、CVD工艺、ALD工艺或Epitaxy工艺在所述接触孔的底部进行沉积，形成所述SiGe层；所述SiGe层的厚度为5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：金玄永，郭挑远，徐康元，高建峰，刘卫兵，孔真真，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：