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本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有接触孔；在接触孔的底部形成SiGe层；在SiGe层上方沉积欧姆金属层；在欧姆金属层上方沉积覆盖金属层；对欧姆金属层进行热处理后，去除覆盖金属层；在去...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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