一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质技术

本发明专利技术提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质，所述方法包括：目标传感器获取相邻光电传感器的发射端频率，根据相邻光电传感器的发射端频率，目标光电传感器设置自身的发射端频率，使其与相邻光电传感器的发射端频率不一致；可知，本发明专利技术能够控制光电传感器的发射端频率以不同的频率工作，能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，提高工作准确性和效率。提高工作准确性和效率。提高工作准确性和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质


[0001]本专利技术涉及智能传感器
，具体涉及一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质。

技术介绍

[0002]目前，光电传感器在许多的场景中，往往会控制安装间距，避免多个光电传感器的相互干扰。
[0003]现有技术中，漫反射式光电传感器为发射器和接收器在同一侧的光电产品，主要是以光为媒体，对发光体与受光体间的光进行接收与转换，通过对相邻的两个漫反射式光电传感器采用不同的信号频率，避免相互干扰，但是存在如下问题：（1）需要对每一个漫反射式光电传感器的信号频率进行设置，才能避免信号频率相互干扰，但会导致计复杂性且调试复杂性，工作效率低；（2）当相邻的两个漫反射式光电传感器的检测的时间片差，影响到相邻的两个对射式光电传感器的信号频率差，使得两个漫反射式光电传感器的信号频率相互干扰时，导致工作准确性和效率降低。

技术实现思路

[0004]针对上述技术问题，本专利技术提供一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质，将相邻的光电传感器设置为不同的发射端频率，能够使得漫反射式光电传感器，避免信号频率相互干扰时，以提高工作准确性和效率。
[0005]本专利技术采用的技术方案为一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，所述方法包括如下步骤：S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K0，K0符合如下条件：，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期；S200、基于K0和预设发射端频率K={K1，K2，
……
，K
m/>}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，K
j
是指第j个预设发射端频率，j=1
……
m，m为预设发射端频率；S300、从K中删除目标光电传感器对应的目标发射端频率，构建成中间发射端频率列表；S400、从中间发射端频率列表中获取任一中间发射端频率作为指定光电传感器的发射端频率，其中，所述指定光电传感器是指与目标光电传感器相邻的光电传感器。
[0006]本专利技术还保护了一种非瞬时性计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令或至少一段程序，所述至少一条指令或所述至少一段程序由处理器加载并执行以实现上述的漫反射式光电传感器抗干扰方法。
[0007]本专利技术还保护了一种电子设备，包括处理器和上述的非瞬时性计算机可读存储介质。
[0008]本专利技术至少具有以下技术效果：（1）通过控制不同光电传感器的发射端频率，实现避免信号频率相互干扰，且降低了设计复杂性且调试复杂性，提高了工作效率低；（2）在控制不同光电传感器的发射端频率的基础上，还可以结合控制不同光电传感器的检测时间片，一方面，能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，另一方面，实现优化光电传感器的发射光信号，保证在需要大量的光电传感器的场景中，只需要少量的发射端频率，就能够避免光电传感器的发射端频率异常，导致信号频率相互干扰，提高工作准确性和效率。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本专利技术实施例一提供的一种漫反射式光电传感器抗干扰方法的流程图；图2为本专利技术实施例二提供的另一种漫反射式光电传感器抗干扰方法的流程图。
具体实施方式
[0011]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0012]实施例一如图1所示，本实施例一提供了一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，所述方法包括如下步骤：S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K0，K0符合如下条件：，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期；目标光电传感器对应的发射端信号周期为任一目标光电传感器中发射端发射的光信号的周期。
[0013]具体地，目标光电传感器是指n个光电传感器中任意一个，每一光电传感器为漫反射式光电传感器，所述漫反射式光电传感器至少包括：位于同一侧的发射端和接收端，以及检测电路，其中，所述发射端用于发射光信号，所述接收端用于接收到经被测物反射回来的光信号，所述检测电路用于将接收端接收的光信号转换成电信号。
[0014]优选地，所述目标光电感器中发射端发射的光信号为调制信号。
[0015]优选地，n个光电传感器对应的初始发射端频率均相同；能够保证漫反射式光电传感器的采用统一的发射端频率，有利于通过控制漫反射式光电传感器检测的时间片，实现相邻的漫反射式光电传感器的信号频率互不干扰。
[0016]具体地，T符合如下条件：
，W为目标光电传感器对应的光信号的角频率。
[0017]具体地，在S100步骤中还通过如下步骤获取W：S101、获取目标光电传感器对应的相位值列表B={B1，B2，
……
，B
p
}，B
q
是指目标光电传感器对应的第q个相位值，q=1
……
p，p为相位值数量且p≥3，B
q
符合如下条件：B
q
=H
×
f(W
×
T
q
+Ф
q
)，其中，H为目标光电传感器对应的光信号的振幅，Ф
q
为目标光电传感器对应的正弦量的初相角，f（）为目标光电传感器对应的相位函数，T
q
为B
q
对应的时间点；S103、根据B，获取W，其中，W符合如下条件：，其中，T1为B1对应的时间点，f '（）为f（）的反函数。
[0018]优选地，T1=0ms且B1=0
°
。
[0019]优选地，Ф
q
=0。
[0020]S200、基于K0和预设发射端频率K={K1，K2，
……
，K
m
}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，K
j
是指第j个预设发射端频率，j=1
……
m，m为预设发射端频率个数。
[0021]具体地，K中所有预设发射端频率互不相同；优选地，K中每一预设发射端频率之间呈非倍数关系，可以理解为：K
j
与K中除K
j
之外的其他预设发射端频率均不呈倍数关系。
[0022]具体地，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射端频率：S201、根据K0和K，获取目标光电传感器对应的发射端频率差列表D={D1，D2，
……
，D
m
}，D
j
符合如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K0，K0符合如下条件：，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期；S200、基于K0和预设发射端频率K={K1，K2，
……
，K
m
}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，K
j
是指第j个预设发射端频率，j=1
……
m，m为预设发射端频率个数；S300、从K中删除目标光电传感器对应的目标发射端频率，构建成中间发射端频率列表；S400、从中间发射端频率列表中获取任一中间发射端频率作为指定光电传感器的发射端频率，其中，所述指定光电传感器是指与目标光电传感器相邻的光电传感器。2.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，所述目标光电传感器为漫反射式光电传感器。3.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，T符合如下条件：，W为目标光电传感器对应的光信号的角频率。4.根据权利要求3所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，在S100步骤中还通过如下步骤获取W：S101、获取目标光电传感器对应的相位值列表B={B1，B2，
……
，B
p
}，B
q
是指目标光电传感器对应的第q个相位值，q=1
……
p，p为相位值数量且p≥3，B
q
符合如下条件：B
q
=H
×
f(W
×
T
q
+Ф
q
)，其中，H为目标光电传感器对应的光信号的振幅，Ф
q
为目标光电传感器对应的正弦量的初相角，f（）为目标光电传感器对应的相位函数，T
q
为B
q
对应的时间点；S103、根据B，获取W，其中，W符合如下条件：，其中，T1为B1对应的时间点，f'（）为f（）的反函数。5.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：代红林，高鹏，
申请(专利权)人：宜科天津电子有限公司，
类型：发明
国别省市：