一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管技术

本发明专利技术提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括衬底、还包括依次层叠于所述衬底上的多量子阱层、复合过渡层以及AlGaN电子阻挡层；其中，所述复合过渡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的N型掺杂AlGaN子层、无掺杂AlGaN子层以及P型掺杂AlGaN子层，所述N型掺杂AlGaN子层的掺杂剂为Si，且Si掺杂浓度为1*10

【技术实现步骤摘要】
一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管。

技术介绍

[0002]过去十年中，AlGaN材料因其在紫外光电器件中的巨大应用潜力而备受关注，紫外LED具有光子能量高、波长短、体积小、功耗低、寿命长、环境友好等特点，在高显色指数白光照明、高密度光学数据储存、传感器、平版印刷、空气净化环保等领域具有广泛的应用。
[0003]然而，AlGaN基紫外LED的研制面临的许多的技术困难，如电子本身有效质量较小，具有较高的迁移率，导致电子很多容易通过量子阱而溢出到P层；并且随着Al组分的增加，容易导致外延生长的AlGaN薄膜缺陷密度高、表面不平整等问题，难以获得高晶体质量的AlGaN材料，且高Al组分的AlGaN材料不论是n型掺杂还是p型掺杂，相比GaN材料而言，AlGaN材料都是要困难的多，尤其是p
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AlGaN的掺杂尤为棘手，掺杂剂Mg的活化效率低，导致空穴不足，辐射复合效率降低；另外，AlGaN基紫外LED内量子效率相对蓝绿光发光二极管偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延片，包括衬底，其特征在于，还包括依次层叠于所述衬底上的多量子阱层、复合过渡层以及AlGaN电子阻挡层；其中，所述复合过渡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的N型掺杂AlGaN子层、无掺杂AlGaN子层以及P型掺杂AlGaN子层，所述N型掺杂AlGaN子层的掺杂剂为Si，且Si掺杂浓度为1*10
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/cm3~1*10
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/cm3，所述N型掺杂AlGaN子层的Si掺杂浓度由靠近所述多量子阱层一端向另一端逐渐降低。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型掺杂AlGaN子层的掺杂剂为Mg，且Mg掺杂浓度为1*10
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/cm3。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述P型掺杂AlGaN子层的Mg掺杂浓度由靠近所述无掺杂AlGaN子层一端向另一端逐渐升高。4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述复合过渡层中Al组分含量与所述AlGaN电子阻挡层中Al组分含量相同。5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述复合过渡层的厚度为10nm~13nm，其中，所述N型掺杂AlGaN子...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，胡加辉，吕蒙普，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：