一种微发光二极管制造技术

技术编号：33338728 阅读：21 留言：0更新日期：2022-05-08 09:22

本发明专利技术提出一种微发光二极管，该微发光二极管至少包含N型层、过渡层、发光层和P型层。其中过渡层，其结构沿着生长方向，包含第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层。过渡层带隙介于N型层和发光层之间，定义N型层的带隙为Egn、第一过渡层的带隙为Eg1、第二过渡层的带隙为Eg2、第三过渡层的带隙为Eg3、发光层的带隙为Ega，满足以下关系：Egn≥Eg1＞Eg2＞Eg3＞Ega。定义过渡层总厚度与发光层总厚度比为x，x满足以下关系：5≤x≤150。利用该结构制备的微发光二极管，可实现峰值光电转换效率对应电流密度小于0.1A/cm2，且峰值光电转换效率提升5%以上。上。上。上。