一种垂直结构LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，该垂直结构LED芯片按照从下往上的连接顺序依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、P

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，具体涉及一种垂直结构LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前发光二极管(Light Emitting Diode，LED)已广泛用于室内外照明，室外照明、车灯以及手持照明等应用领域。发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是靠PN结把电能转换成光能的一种器件，具有可控性好、启动快、寿命长、发光效率高、安全、节能环保等优点，不仅带动照明产业的深刻变革，同时还引领着显示屏领域的创新。随着LED产业的发展，大功率LED越来越受到人们的青睐。随着使用功率的提高，单位面积上注入的电流也要求越来越大。
[0003]然而，由于制作LED本身的半导体材料特性所限，较大的电流密度会导致大功率LED局部区域电流拥堵，使得大功率LED发光面上发光不均匀，发光效率低。大功率LED发光面发光不均匀，不仅会降低LED的发光亮度，同时会使得大功率LED芯片发光光斑出现明暗相间的现象，部分区域较亮，部分区域形成暗带。严重影响对光斑有较高要求的使用领域，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于：按照从下往上的连接顺序依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、P
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GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、N
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GaN层、电流扩散层、钝化层和N电极；所述保护层内设有金属反射层，所述金属反射层与所述P
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GaN层接触；所述电流扩散层内设有电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述N电极下方，所述电流阻挡层与所述N
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GaN层接触。2.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述粘结层为Cr、Ti、Ni、Al、Pt和Au中的一种金属组成的单层结构或几种金属依次叠加形成的多层结构，粘结层的总厚度为10nm～1000nm。3.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述键合层材料为AuSn、NiSn、CuSn和AuSi中的一种或多种混合，键合层的厚度为1000～9000nm。4.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述金属反射层材料为Cr、Ag、Ni、Ti中的金属组成的单层结构或几种金属依次叠加形成的多层结构。5.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述电流扩散层材料为氧化铟锡，由SnO2和In2O3按照一定质量比复配，厚度为30nm～500nm。优选为SnO2和In2O3按照质量比为1：9复配。6.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述电流阻挡层材料为SiO2、Si3N4、TiO2、Ti3O5中的一种，厚度为100nm～500nm。7.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述N电极材料为Ti、Cr、Ni、Al、Pt和Au中的一种金属组成的单层结构或几种金属依次叠加形成的多层结构，N电极的总厚度为500nm～5000nm。8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：