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本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括衬底、还包括依次层叠于所述衬底上的多量子阱层、复合过渡层以及AlGaN电子阻挡层；其中，所述复合过渡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的N型掺杂AlGaN子层、无掺杂AlGaN...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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