一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法制造方法及图纸

一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。真空环境。真空环境。

【技术实现步骤摘要】
一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法。

技术介绍

[0002]大功率半导体激光器广泛应用于泵浦固体激光器、材料加工和激光医疗等领域，而提高光输出功率、寿命与可靠性一直是半导体激光器领域的研究重点，其中灾变性光学镜面损伤(Catastrophic Optical Mirror Degradation，简称COMD)是影响半导体激光器光输出功率和可靠性的重要因素。COMD是激光器腔面区域吸收谐振腔内部较高的光辐射后，导致该处温度超过其熔点，从而发生腔面熔化的一种灾变性破坏。为了解决这个问题，现有技术采用的方法有在超高真空环境下进行腔面解理，然后钝化一层保护膜进行腔面保护。
[0003]然而，现有技术中超高真空解理镀膜装置的工作效率低且难以长时间维持超高的真空环境。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于现有技术中超高真空解理镀膜装置的工作效率低且难以长时间维持较高的真空环境，从而提供一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法。
[0005]本专利技术提供一种超高真空解理镀膜装置，包括：解理腔体；位于所述解理腔体中的解理平台；半导体发光器件载具；所述半导体发光器件载具包括：第一承载平台，所述第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于所述第一定位槽中的第一定位销；分别位于所述第二定位槽中的第二定位销；所述第一定位销适于沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动；所述第二定位销适于沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动；所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述第一承载平台的承载面，所述第一定位销和所述第二定位销适于对从所述解理平台掉落至所述第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。
[0006]可选的，所述半导体发光器件载具还包括：位于所述第一定位销和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件，所述第一弹性件的一端与所述第一定位销连接，所述第一弹性件的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件，所述第二弹性件的一端与所述第二定位销连接，所述第二弹性件的另一端与所述第二定位槽的内壁连接。
[0007]可选的，还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元适于驱动所述第一定位销沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动，所述载具驱动单元还适于驱动所述第二定位销沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动。
[0008]可选的，第一方向上相对设置的第一定位槽包括：在所述第一方向上相对设置的第一个第一定位槽和第二个第一定位槽；第二方向上相对设置的第二定位槽包括：在所述第二方向上相对设置的第一个第二定位槽和第二个第二定位槽、以及在所述第二方向上相对设置的第三个第二定位槽和第四个第二定位槽；所述第一个第二定位槽和所述第三个第二定位槽在所述第一方向上相对设置，所述第二个第二定位槽和所述第四个第二定位槽在所述第一方向上相对设置；所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元包括：位于所述第一承载平台底部的主动旋转齿轮、第一从动旋转齿轮和第二从动旋转齿轮，所述主动旋转齿轮的中心轴、第一从动旋转齿轮的中心轴和第二从动旋转齿轮的中心轴均垂直于所述第一承载平台，所述第一从动旋转齿轮和所述第二从动旋转齿轮在所述第一方向上位于所述主动旋转齿轮的两侧；所述第一从动旋转齿轮适于驱动所述第一个第二定位槽中的第二定位销和所述第二个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第一个第一定位槽中的第一定位销在第一方向上远离所述主动旋转齿轮；所述第二从动旋转齿轮适于驱动所述第三个第二定位槽中的第二定位销和所述第四个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第二个第一定位槽中的第一定位销在所述第一方向上远离所述主动旋转齿轮。
[0009]可选的，所述第一从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第一从动旋转齿轮的周向依次排布的第一齿、第二齿、第三齿和第一咬合齿组；所述第二从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第二从动旋转齿轮的周向依次排布的第五齿、第六齿、第七齿和第二咬合齿组；所述第一个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第一齿和所述第二齿之间且与所述第一齿的侧壁接触，所述第一个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第二齿和所述第三齿之间且与所述第二齿的侧壁接触，所述第二个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第三齿和所述第一咬合齿组之间且与所述第三齿的侧壁接触，所述第一咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合；所述第三个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第五齿和所述第二咬合齿组之间且与所述第五齿的侧壁接触，所述第二个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第五齿和所述第六齿之间且与所述第六齿的侧壁接触，所述第四个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第六齿和所述第七齿之间且与所述第七齿的侧壁接触，所述第二咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合。
[0010]可选的，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度；所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度。
[0011]可选的，所述解理腔体的顶壁设置有观察窗口，所述观察窗口的上方设置有图像传感器，所述图像传感器与所述解理平台相对设置。
[0012]可选的，还包括：位于所述解理腔体中的解理刀具；微型机械移动装置；所述微型机械移动装置包括：位于所述解理腔体内部的晶圆抓取机械手和位于解理腔体外部的第一电机，第一电机用于驱动所述晶圆抓取机械手抓取半导体切片晶圆至所述解理平台上，所述第一电机用于在解理过程中移动所述半导体切片晶圆在所述解理平台上的位置。
[0013]可选的，还包括：镀膜腔体，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部。
[0014]可选的，所述镀膜腔体与所述解理腔体之间设置有第一阀门；超高真空解理镀膜装置还包括：第一竖直传送单元，所述第一竖直传送单元适于通过所述第一阀门在所述解
理腔体和所述镀膜腔体之间传送所述半导体发光器件载具。
[0015]可选的，还包括：位于所述解理腔体侧部的出样腔体，所述出样腔体与所述解理腔体之间设置有第二阀门；载具架，所述载具架适于承载水平排布的若干半导体发光器件载具；第一水平传送单元，所述第一水平传送单元适于通过所述第二阀门在所述出样腔体和所述解理腔体之间传送载具架。
[0016]可选的，还包括：缓冲腔体，所述缓冲腔体位于所述解理腔体的侧部，且所述缓冲腔体位于所述出样腔体的顶部。
[0017]可选的，还包括：第一进样腔体和第二进样腔体；所述第一进样腔体和所述第二进样腔体位于所述缓冲腔体的侧部，所述第一进样腔体位于所述第二进样腔体的顶部。
[0018]可选的，还包括：第一半导体切片晶圆载具；第二半导体切片晶圆载具；第二水平传送单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高真空解理镀膜装置，其特征在于，包括：解理腔体；位于所述解理腔体中的解理平台；半导体发光器件载具；所述半导体发光器件载具包括：第一承载平台，所述第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于所述第一定位槽中的第一定位销；分别位于所述第二定位槽中的第二定位销；所述第一定位销适于沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动；所述第二定位销适于沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动；所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述第一承载平台的承载面，所述第一定位销和所述第二定位销适于对从所述解理平台掉落至所述第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。2.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述半导体发光器件载具还包括：位于所述第一定位销和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件，所述第一弹性件的一端与所述第一定位销连接，所述第一弹性件的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件，所述第二弹性件的一端与所述第二定位销连接，所述第二弹性件的另一端与所述第二定位槽的内壁连接。3.根据权利要求1或2所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元适于驱动所述第一定位销沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动，所述载具驱动单元还适于驱动所述第二定位销沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动。4.根据权利要求3所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，第一方向上相对设置的第一定位槽包括：在所述第一方向上相对设置的第一个第一定位槽和第二个第一定位槽；第二方向上相对设置的第二定位槽包括：在所述第二方向上相对设置的第一个第二定位槽和第二个第二定位槽、以及在所述第二方向上相对设置的第三个第二定位槽和第四个第二定位槽；所述第一个第二定位槽和所述第三个第二定位槽在所述第一方向上相对设置，所述第二个第二定位槽和所述第四个第二定位槽在所述第一方向上相对设置；所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元包括：位于所述第一承载平台底部的主动旋转齿轮、第一从动旋转齿轮和第二从动旋转齿轮，所述主动旋转齿轮的中心轴、第一从动旋转齿轮的中心轴和第二从动旋转齿轮的中心轴均垂直于所述第一承载平台，所述第一从动旋转齿轮和所述第二从动旋转齿轮在所述第一方向上位于所述主动旋转齿轮的两侧；所述第一从动旋转齿轮适于驱动所述第一个第二定位槽中的第二定位销和所述第二个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第一个第一定位槽中的第一定位销在第一方向上远离所述主动旋转齿轮；所述第二从动旋转齿轮适于驱动所述第三个第二定位槽中的第二定位销和所述第四个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第二个第一定位槽中的第一定位销在所述第一方向上远离所述主动旋转齿轮。5.根据权利要求4所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述第一从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第一从动旋转齿轮的周向依次排布的第一齿、第二齿、第三
齿和第一咬合齿组；所述第二从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第二从动旋转齿轮的周向依次排布的第五齿、第六齿、第七齿和第二咬合齿组；所述第一个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第一齿和所述第二齿之间且与所述第一齿的侧壁接触，所述第一个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第二齿和所述第三齿之间且与所述第二齿的侧壁接触，所述第二个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第三齿和所述第一咬合齿组之间且与所述第三齿的侧壁接触，所述第一咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合；所述第三个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第五齿和所述第二咬合齿组之间且与所述第五齿的侧壁接触，所述第二个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第五齿和所述第六齿之间且与所述第六齿的侧壁接触，所述第四个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第六齿和所述第七齿之间且与所述第七齿的侧壁接触，所述第二咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合。6.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度；所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度。7.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述解理腔体的顶壁设置有观察窗口，所述观察窗口的上方设置有图像传感器，所述图像传感器与所述解理平台相对设置。8.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：位于所述解理腔体中的解理刀具；微型机械移动装置；所述微型机械移动装置包括：位于所述解理腔体内部的晶圆抓取机械手和位于解理腔体外部的第一电机，所述第一电机用于驱动所述晶圆抓取机械手抓取半导体切片晶圆至所述解理平台上，所述第一电机用于在解理过程中移动所述半导体切片晶圆在所述解理平台上的位置。9.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：镀膜腔体，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部。10.根据权利要求9所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述镀膜腔体与所述解理腔体之间设置有第一阀门；超高真空解理镀膜装置还包括：第一竖直传送单元，所述第一竖直传送单元适于通过所述第一阀门在所述解理腔体和所述镀膜腔体之间传送所述半导体发光器件载具。11.根据权利要求1、9或10所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：位于所述解理腔体侧部的出样腔体，所述出...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，李波，胡燚文，郭路安，廖新胜，闵大勇，
申请(专利权)人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：