一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统，包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部，其中，内保温部设于外保温部的内部，且内保温部与外保温部的内侧面相接触；盖板设于外保温部的一端，用于对外保温部和内保温部进行封盖；导流筒支撑环设于外保温部的内部，且导流筒支撑环设于内保温部的靠近盖板的一端，用于对导流筒进行支撑；封气环设于盖板的内侧，且封气环的一端与导流筒支撑环接触，封气环的高度大于盖板的高度，对气流进行疏导。本实用新型专利技术的有益效果是减少热量的散失，加强对气流的疏导，加强热场结构的保温效果，减少热量波动，提高热场的热稳定性，减少由于气流或保温效果引起的断苞扩断现象的发生。断苞扩断现象的发生。断苞扩断现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统


[0001]本技术属于直拉单晶
，尤其是涉及一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统。

技术介绍

[0002]生产大尺寸直拉单晶硅的优势是产能，产能的关键在于成晶、整棒率，其中整棒率的关键点在于工艺参数的匹配与热场设计的合理性。现有的热场结构中，热量损耗大，保温效果不好，热量波动大，单晶拉制时的整棒率低。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本技术提供一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统，以解决现有技术存在的以上或者其他问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部，其中，
[0005]内保温部设于外保温部的内部，且内保温部与外保温部的内侧面相接触；
[0006]盖板设于外保温部的一端，用于对外保温部和内保温部进行封盖；
[0007]导流筒支撑环设于外保温部的内部，且导流筒支撑环设于内保温部的靠近盖板的一端，用于对导流筒进行支撑；
[0008]封气环设于盖板的内侧，且封气环的一端与导流筒支撑环接触，封气环的高度大于盖板的高度，对气流进行疏导。
[0009]进一步的，外保温部的高度大于内保温部的高度，以便于导流筒支撑环设于内保温部的一端。
[0010]进一步的，内保温部的高度与导流筒支撑环的高度之和小于外保温部的高度，以使得盖板与内保温部之间具有间隙，导流筒支撑环插接于间隙内。
[0011]进一步的，外保温部与内保温部的高度差为10
‑
20mm，外保温部与导流筒支撑环之间的高度差为3
‑
8mm。
[0012]进一步的，封气环与盖板的高度差为5
‑
15mm。
[0013]进一步的，外保温部为等厚度结构。
[0014]进一步的，外保温部为保温固碳。
[0015]进一步的，内保温部为上保温筒。
[0016]进一步的，盖板包括第一接触部和第二接触部，第一接触部与第二接触部连接，第二接触部的高度大于第一接触部的高度，第一接触部与外保温部接触配合，第二接触部与导流筒支撑环接触配合，且第二接触部与外保温部的内侧面接触配合。
[0017]一种单晶炉系统，包括如上述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构设于中保温筒的上部。
[0018]由于采用上述技术方案，该提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构的封气环的高度
大于盖板的高度，封气环的一端凸出盖板的端面，减少热量的散失，加强对气流的疏导，防止气流漩涡的产生，内保温部的高度小于外保温部的高度，且内保温部的高度与导流筒支撑环的高度之和小于外保温部的高度，外保温部的端面凸出导流筒支撑环的端面，加强热场结构的保温效果，减少热量波动，提高热场的热稳定性，减少由于气流或保温效果引起的断苞扩断现象的发生，提高直拉单晶的整棒率。
附图说明
[0019]图1是本技术的一实施例的结构示意图。
[0020]图中：
[0021]1、封气环
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2、盖板
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3、导流筒支撑环
[0022]4、内保温部
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5、外保温部
具体实施方式
[0023]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。
[0024]图1示出了本技术的一实施例的结构示意图，本实施例涉及一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统，用于直拉单晶时使用，该热场结构安装在单晶炉内，且安装在现有单晶炉的中保温层上，该热场结构能够提高热场的稳定性，减少由于气流或保温效果引起的断苞扩断等问题的发生，提高大尺寸直拉单晶硅整棒率。
[0025]一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，如图1所示，包括封气环1、盖板2、导流筒支撑环3、内保温部4和外保温部5，其中，内保温部4设于外保温部5的内部，且内保温部4与外保温部5的内侧面相接触，由于该热场结构是安装在单晶炉的加热器的外部，加热器内部设有石墨坩埚和石英坩埚，所以，该外保温部5与内保温部4均为环形结构，围设于加热器的外侧，进行保温，减少热量散失，保证热场的热稳定性。内保温部4在安装时，安装在外保温部5的内部，且内保温部4与外保温部5的内侧面紧密贴合，内保温部4与外保温部5之间不具有间隙，减少热量散失；内保温部4与外保温部5在安装时，内保温部4与外保温部5的一端对齐，内保温部4的该端部与外保温部5的该端部在同一平面上。
[0026]盖板2设于外保温部5的一端，用于对外保温部5和内保温部4进行封盖，盖板2安装在外保温部5的一端，且盖板2分别与外保温部5的端部和内保温部4的端部接触配合，对内保温部4与外保温部5之间的间隙进行封盖，避免直拉单晶过程中气体进入该间隙，影响热场的热稳定性，盖板2的宽度与内保温部4和外保温部5总宽度之和相同，盖板2扣合在内保温部4与外保温部5的端部，以使得整个热场结构的形状规则，便于导流筒的安装。
[0027]导流筒支撑环3设于外保温部5的内部，且导流筒支撑环3设于内保温部4的靠近盖板2的一端，用于对导流筒进行支撑，导流筒支撑环3为环形结构，其外径与外保温部5的内径相适应，导流筒支撑环3安装在内保温部4的一端，导流筒支撑环3与内保温部4的该端的端面接触，且导流筒支撑环3与外保温部5的同轴设置，导流筒支撑环3与外保温部5的内侧面相接触，紧密贴合，内保温部4对导流筒支撑环3进行支撑，以便于导流筒支撑环3安装在内保温部4上。
[0028]封气环1设于盖板2的内侧，且封气环1的一端与导流筒支撑环3接触，封气环1的高度大于盖板2的高度，对气流进行疏导，封气环1位于导流筒支撑环3的远离与内保温部4接
触的一侧面上，且封气环1与盖板2的内侧面紧密贴合，该封气环1为环形结构，安装位置与盖板2的位置相对应，封气环1的另一端凸出盖板2的远离与外保温部5接触的一侧面，以使得封气环1凸出盖板2，减少此处热量的散失及对气流加强疏导，防止气流旋涡的产生，提高热场的热稳定性。
[0029]外保温部5的高度大于内保温部4的高度，以使得盖板2与内保温部4之间具有间隙，导流筒支撑环3插接于间隙内，外保温部5与内保温部4在安装时，具有高度差，且该高度差大于导流筒支撑环3的厚度，使得导流筒支撑环3安装在内保温部4的顶端时，导流筒支撑环3与外保温部5的顶端之间依然具有高度差，加强热场结构的保温效果，减少热量波动。
[0030]外保温部5与内保温部4的高度差为10
‑
20mm，该高度差根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。
[0031]导流筒支撑环3与外保温部5的高度差为3
‑
8mm，该高度差根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。
[0032]封气环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部，其中，所述内保温部设于所述外保温部的内部，且所述内保温部与所述外保温部的内侧面相接触；所述盖板设于所述外保温部的一端，用于对所述外保温部和所述内保温部进行封盖；所述导流筒支撑环设于所述外保温部的内部，且所述导流筒支撑环设于所述内保温部的靠近所述盖板的一端，用于对导流筒进行支撑；所述封气环设于所述盖板的内侧，且所述封气环的一端与所述导流筒支撑环接触，所述封气环的高度大于所述盖板的高度，对气流进行疏导。2.根据权利要求1所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述外保温部的高度大于所述内保温部的高度，以便于所述导流筒支撑环设于所述内保温部的一端。3.根据权利要求2所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述内保温部的高度与所述导流筒支撑环的高度之和小于所述外保温部的高度，以使得所述盖板与所述内保温部之间具有间隙，所述导流筒支撑环插接于所述间隙内。4.根据权利要求3所述的提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构，其特征在于：所述外保温部与所述内保温部的高度差为10
‑
20mm，所述外保温部与所述导流筒支撑环之间的高度差为3

【专利技术属性】
技术研发人员：韩凯，武志军，张文霞，谷守伟，王林，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：