使用由内部固件进行自验证的用于NAND存储器的冗余数据保护制造技术

本公开内容提供了一种用于NAND存储器的数据保护的方法。所述方法包括：根据编程数据对NAND闪存设备的第一页和第二页进行编程，使得存储在所述第一页和第二页中的数据是冗余的。对所述第一页和第二页的所述编程包括：使用多个编程电压的多个编程操作以及用于根据所述编程数据确定所述第一页的经编程存储单元是否具有阈值电压电平的多个验证操作。所述方法还包括：基于所述多个验证操作中的每个验证操作返回通过结果来确定对所述第一页和第二页的编程的完成。所述方法还包括：在所述确定之后，由所述NAND闪存设备执行对所述第二页的读取操作，以对存储在所述第二页的数据进行自验证。自验证。自验证。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用由内部固件进行自验证的用于NAND存储器的冗余数据保护


[0001]概括地说，本公开内容涉及半导体技术的领域，并且更具体地说，本公开内容涉及用于对NAND存储器中的双重编程错误进行调试的方法。

技术介绍

[0002]随着存储器件不断缩小到较小的管芯尺寸以降低制造成本并增加存储密度，由于工艺技术的局限性和可靠性问题，面存储单元的扩展面临挑战。三维(3D)存储器架构可以解决面存储单元中的密度和性能限制。
[0003]在3D NAND闪存器中，可以垂直地堆叠多层存储单元，从而可以大大提高每单位面积的存储密度。垂直堆叠的存储单元可以形成存储串，其中存储单元的沟道在每个存储串中是连接的。每个存储单元可以通过字线和位线来寻址。可以同时读取或编程共享同一字线的整个存储页面中的存储单元的数据(即，逻辑状态)。然而，由于积极的扩展，可靠性可能是3D NAND闪存的一个问题。

技术实现思路

[0004]在本公开内容中描述了用于存储器设备中的数据保护的方法和系统的实施例。
[0005]在一些实施例中，一种方法可以提供使用NAND自本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于NAND闪存设备的编程方法，包括：根据编程数据对所述NAND闪存设备的第一页和第二页进行编程，使得存储在所述第一页和所述第二页中的数据是冗余的，其中，所述第一页和所述第二页中的每个页包括与第一字线或第二字线相对应的多个存储单元，并且其中，对所述第一页和所述第二页的编程包括：使用多个编程电压的多个编程操作；以及多个验证操作，其中，所述多个验证操作中的一些验证操作是在所述多个编程操作中的相对应的一些编程操作之后执行的，以根据所述编程数据确定所述第一页的经编程存储单元是否具有阈值电压电平；基于所述多个验证操作中的每个验证操作返回通过结果来确定对所述第一页和所述第二页的编程的完成；以及在所述确定之后，执行由所述NAND闪存设备对所述第二页的读取操作，以根据所述编程数据对存储在所述第二页处的数据进行自验证。2.根据权利要求1所述的编程方法，其中：所述第一页被配置用于单层单元闪存(SLC)编程；并且所述第二页被配置用于多层单元闪存(MLC)编程、三层单元闪存(TLC)编程或四层单元闪存(QLC)编程。3.根据权利要求1所述的编程方法，其中，对所述读取操作的执行包括：与执行由一个或多个主机计算设备的所述读取操作以根据所述编程数据对存储在所述第二页处的数据进行外部验证相比，减少所述编程方法的完成的时间。4.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：释放所述第一页以接收新数据进行存储。5.根据权利要求1所述的编程方法，其中，对所述读取操作的执行包括：将从所述读取操作确定的所存储的数据和所述编程数据进行比较；以及如果失败比特计数低于阈值则确定通过结果，或者如果所述失败比特计数高于阈值则确定失败结果。6.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：由所述NAND闪存设备接收输入以调整对所述读取操作的执行。7.根据权利要求6所述的编程方法，还包括：将对所述读取操作的执行限制在所述NAND闪存设备中的由所述输入指定的一个或多个区域，其中，一个或多个指定的区域包括下列各项中的至少一项：用于单层单元闪存(SLC)的区域；用于多层单元闪存(MLC)的区域；用于三层单元闪存(TLC)的区域；用于四层单元闪存(QLC)的区域；页；块；以及片存储区。8.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：延迟对未来编程数据的高速缓存直到对所述读取操作的执行之后。
9.根据权利要求8所述的编程方法，还包括：检测所述高速缓存的使用，其中，所述延迟是基于对所述高速缓存的使用的检测的。10.一种NAND闪存设备，包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括第一页和第二页，所述第一页和所述第二页中的每个页包括与第一字线或第二字线相对应的多个存储单元；以及外围电路，所述外围电路经由所述第一字线和所述第二字线耦合到所述第一页和所述第二页，并且被配置为：根据编程数据对所述第一页和所述第二页进行编程，使得存储在所述第一页和所述第二页中的数据是冗余的，其中，对所述第一页和所述第二页的编程包括：使用多个编程电压的多个编程操作；以及多个验证操作，其中，所述多个验证操作中的一些验证操作是在所述多个编程操作中的相对应的一些编程操作之后执行的，以根据所述编程数据确定所述第一页的经编程存储单元是否具有阈值电压电平；基于所述多个验证操作中的每个验证操作返回通过结果来确定对所述第一页和所述第二页的编程的完成；以及在所述确定之后，执行由所述NAND闪存设备对所述第二页的读取操作，以根据所述编程数据对数据在所述第二页处的存储进行自验证。11.根据权利要求10所述的NAND闪存设备，其中：所述第一页被配置用于单层单元闪存(SLC)编程；并且所述第二页被配置用于多层单元闪存(MLC)编程、三层单元闪存(TLC)编程或四层单元闪存(QLC)编程。12.根据权利要求10所述的NAND闪存设备，其中，对所述读取操作的执行包括：与执行由一个或多个主机计算设备的所述读取操作以根据所述编程数据对存储在所述第二页处的数据进行外部验证相比，减少包括对所述第一页和所述第二页的编程的冗余数据存储过程的完成的时间。13.根据权利要求10所述的NAND闪存设备，其中，所述NAND闪存设备被配置为：释放所述第一页以接收新数据进行存储。14.根据权利要求10所述的NA...

【专利技术属性】
技术研发人员：何有信，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：