一种磷化铟晶片腐蚀装置，包括水浴槽、数控加热器、腐蚀槽、搅拌装置、转动装置和夹板；数控加热器安装在水浴槽内侧的侧壁上；腐蚀槽通过支柱安装在水浴槽内；搅拌装置包括依次连接的电机M2、金属传动杆a、聚四氟乙烯转动杆a和搅拌叶，电机M2和金属传动杆a位于水浴槽外侧，搅拌叶位于腐蚀槽内；转动装置包括依次连接的电机M1、金属传动杆b和聚四氟乙烯转动杆b，电机M1、金属传动杆b位于水浴槽外侧，聚四氟乙烯转动杆b贯穿腐蚀槽的整个长度方向；夹板的数量为偶数块，夹板两两相对地设置在聚四氟乙烯转动杆b的两侧，夹板的高度低于聚四氟乙烯转动杆b的高度。上述装置实现了恒温加热，提高了腐蚀的均匀性、生产效率和安全性。生产效率和安全性。生产效率和安全性。
【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟晶片腐蚀装置
[0001]本技术涉及一种磷化铟晶片腐蚀装置，属于磷化铟晶片腐蚀
技术介绍
[0002]磷化铟晶片经过研磨后，晶片表面会产生一定厚度的损伤层，若不除去该损伤层而流转到后面工序，不仅会提高抛光工序的碎片率，而且成品片外延时，易翘曲从而降低外延片的合格率。因此，磷化铟晶片研磨后需要经过化学药剂腐蚀处理，腐蚀处理后的磷化铟晶片的强度、Warp值、背面花纹等都得到了极大改善。目前，磷化铟晶片腐蚀操作过程中，一方面要用电磁炉加热来保证药液恒温，另一方面要手动摇晃承载晶片的花篮来保持药液均匀。该过程存在两个缺点，一是电磁炉加热方式不均匀，温度呈下高上低分布，且温度波动范围大，不易保持恒温；二是手动摇晃花篮需要合适的力度，否则易将腐蚀液溅出而伤人，对操作要求较高，不适合大规模生产晶片。因此，需要设计一种腐蚀槽，既能满足恒温要求，又能实现晶片腐蚀的自动化。
技术实现思路
[0003]针对磷化铟晶片腐蚀操作存在的问题，本技术提供一种磷化铟晶片腐蚀装置，解决下高上低的温度差和手动操作生产效率低、安全性低的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案如下：
[0005]一种磷化铟晶片腐蚀装置，包括水浴槽、数控加热器、腐蚀槽、搅拌装置、转动装置和夹板；
[0006]数控加热器安装在水浴槽内侧的侧壁上；腐蚀槽通过支柱安装在水浴槽内；搅拌装置包括依次连接的电机M2、金属传动杆a、聚四氟乙烯转动杆a和搅拌叶，其中，电机M2和金属传动杆a位于水浴槽外侧，搅拌叶位于腐蚀槽内；转动装置包括依次连接的电机M1、金属传动杆b和聚四氟乙烯转动杆b，其中，电机M1、金属传动杆b位于水浴槽外侧，聚四氟乙烯转动杆b贯穿腐蚀槽的整个长度方向；
[0007]夹板的数量为偶数块，夹板两两相对地设置在聚四氟乙烯转动杆b的两侧，夹板的高度低于聚四氟乙烯转动杆b的高度。
[0008]可根据现场情况，将安装电机M2和电机M1安装在墙面或支架等上。
[0009]使用时，首先，向腐蚀槽中加入腐蚀液，其液位高于晶片2cm～3cm；其次，向水浴槽内加入水，其液位高于腐蚀液液位0.5cm～1cm，然后开启数控加热器进行加热，直至腐蚀液温度恒定；最后，将n个承载磷化铟晶片的花篮卡合在夹板上，晶片底部与聚四氟乙烯转动杆b接触，同时开启电机M1和M2，腐蚀液在搅拌叶的搅拌下时刻保持均匀，晶片在聚四氟乙烯转动杆b的带动下匀速旋转，与腐蚀液充分接触、无差别反应，反应指定时间后取出花篮，立刻用纯水将晶片表面冲洗干净并甩干。
[0010]上述搅拌装置，电机M2带动金属传动杆a和聚四氟乙烯转动杆a转动，进而带动搅拌叶转动，形成对腐蚀液的搅拌，搅拌叶与花篮之间留有间隔；晶片底部与聚四氟乙烯转动
杆b接触，聚四氟乙烯转动杆b转动会带动晶片转动，通过搅拌和转动可有效确保腐蚀的均匀性。
[0011]上述数控加热器直接购买现有市售产品即可，其具体的安装和控制均参照现有技术即可。磷化铟晶片腐蚀用的花篮，直接采用现有花篮即可，花篮上设有平行设置的多个插槽，花篮顶部和底部均为敞口，顶部敞口宽度大于底部敞口宽度，花篮底部可活动卡合在两块相对设置的夹板上。
[0012]上述各传动杆与腐蚀槽、水浴槽接触部分均为密封结构，防止漏液。
[0013]上述聚四氟乙烯转动杆b贯穿腐蚀槽的整个长度方向，指聚四氟乙烯转动杆b沿腐蚀槽的长度方向设置。
[0014]上述金属传动杆a、聚四氟乙烯转动杆a、金属传动杆b和聚四氟乙烯转动杆b的轴向均与腐蚀槽的高度方向相互垂直。
[0015]上述腐蚀槽的材质为聚四氟乙烯。
[0016]为了进一步提高受热的均匀性，腐蚀槽通过支柱安装在水浴槽内的正中心。
[0017]为了进一步提高腐蚀的均匀性，搅拌装置有两个，分别设置在水浴槽的两侧，其中一个搅拌装置的搅拌叶与腐蚀槽内底部的间隔为2cm～3cm，另一个搅拌装置的搅拌叶与腐蚀槽顶部的间隔为4cm～5cm。本申请中距离为两部件之间的最小距离，也即间隔。
[0018]为了提高装置的适应性，夹板的数量为6～8块。这样夹板的间距能够分别固定2吋、3吋、4吋等的晶片清洗花篮。
[0019]为了方便使用，聚四氟乙烯转动杆b位于腐蚀槽长度方向上的中心线上。
[0020]为了提高搅拌的稳定性，避免搅拌叶与腐蚀槽内侧壁的碰撞，搅拌叶与离腐蚀槽内侧壁的间隔为2cm～3cm。
[0021]为了满足一般花篮的卡合要求，夹板的高度为2cm～3cm。
[0022]本技术未提及的技术均参照现有技术。
[0023]本技术磷化铟晶片腐蚀装置，通过水浴加热，使腐蚀药液保持在恒温状态，避免腐蚀液温度大范围波动而造成腐蚀不均匀；通过搅拌结合转动代替人工晃动，即可以同时腐蚀多组同尺寸或不同尺寸的晶片而大大提高生产效率，又可以降低操作难度和提高操作安全性。
附图说明
[0024]图1为本技术磷化铟晶片腐蚀装置的结构示意图；
[0025]图2为图1的俯视图；
[0026]图中，1
‑
水浴槽；2
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数控加热器；3
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金属传动杆a；4
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电机M2；5
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聚四氟乙烯转动杆a；6
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搅拌叶；7
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夹板；8
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支柱；9
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腐蚀槽；10
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聚四氟乙烯转动杆b；11
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电机M1；12
‑
金属传动杆b。
具体实施方式
[0027]为了更好地理解本技术，下面结合实施例进一步阐明本技术的内容，但本技术的内容不仅仅局限于下面的实施例。
[0028]本申请“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、
“
左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等方位词为基于附图所示或使用状态时的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0029]实施例1
[0030]如图1
‑
2所示，一种磷化铟晶片腐蚀装置，包括水浴槽1、数控加热器2、腐蚀槽9、搅拌装置、转动装置和夹板7；
[0031]腐蚀槽9的材质为聚四氟乙烯；数控加热器2安装在水浴槽1内侧的侧壁上；腐蚀槽9通过支柱8安装在水浴槽1内；搅拌装置包括依次连接的电机M2 4、金属传动杆a 3、聚四氟乙烯转动杆a 5和搅拌叶6，其中，电机M2 4和金属传动杆a 3位于水浴槽1外侧，搅拌叶6位于腐蚀槽9内；转动装置包括依次连接的电机M1 11、金属传动杆b 12和聚四氟乙烯转动杆b 10，其中，电机M1 11、金属传动杆b 12位于水本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶片腐蚀装置，其特征在于：包括水浴槽(1)、数控加热器(2)、腐蚀槽(9)、搅拌装置、转动装置和夹板(7)；数控加热器(2)安装在水浴槽(1)内侧的侧壁上；腐蚀槽(9)通过支柱(8)安装在水浴槽(1)内；搅拌装置包括依次连接的电机M2(4)、金属传动杆a(3)、聚四氟乙烯转动杆a(5)和搅拌叶(6)，其中，电机M2(4)和金属传动杆a(3)位于水浴槽(1)外侧，搅拌叶(6)位于腐蚀槽(9)内；转动装置包括依次连接的电机M1(11)、金属传动杆b(12)和聚四氟乙烯转动杆b(10)，其中，电机M1(11)、金属传动杆b(12)位于水浴槽(1)外侧，聚四氟乙烯转动杆b(10)贯穿腐蚀槽(9)的整个长度方向；夹板(7)的数量为偶数块，夹板(7)两两相对地设置在聚四氟乙烯转动杆b(10)的两侧，夹板(7)的高度低于聚四氟乙烯转动杆b(10)的高度。2.如权利要求1所述的磷化铟晶片腐蚀装置，其特征在于：金属传动杆a(3)、聚四氟乙烯转动杆a(5)、金属传动杆b(12)和聚四氟乙烯转动杆b(10)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：房现阁，柯尊斌，王卿伟，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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