一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法与应用，其中铌酸钠基陶瓷材料的化学通式为(0.90

【技术实现步骤摘要】
一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于电子功能材料
，涉及一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]在多种类型的铁电材料中，含铅压电陶瓷(PZT)由于它的优异压电性能和温度稳定性成为压电材料的支柱。其中，在80年代后期，人们研制出弛豫铁电体陶瓷，成为一系列电声器件及压电器件的基础材料，比如铌镁酸铅系(Pb(Mg
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Nb
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)(ZrTi)O3)可广泛应用于拾音器，微音器。但是，铅有强毒性，已经在危险清单上名列前茅。并且在制备过程中，PbO被大量使用，含量超过60％，这对人体和环境造成极大的危害。所以，在保护环境和人类的目的下，许多国家和地区，正在拟定或者已经制定出限制或，停止有害物质的使用。碱金属铌酸盐中铌酸钾钠(KNN)基陶瓷是一种具有良好介电、压电和铁电陶瓷性能的无铅铁电陶瓷，是最有望成为替代铅基压电陶瓷的一种材料。但是因为碳酸钾的吸湿性和氧化钾在高温下的挥发性，导致了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料，其特征在于，该铌酸钠基陶瓷材料的化学通式为(0.90
‑
x)NaNbO3‑
0.10Ba(Ti
0.7
Sn
0.3
)O3‑
xNaSbO3，其中0.01≤x≤0.02。2.如权利要求1所述的一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，该方法包括将钠源、铌源、锑源、钡源、钛源、锡源混合后，依次进行初次球磨、煅烧、二次球磨、烘干、造粒、压制成型、排胶、烧结后，即得到所述的铌酸钠基陶瓷材料。3.根据权利要求2所述的一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述的钠源包括Na2CO3，所述的铌源包括Nb2O5，所述的锑源包括Sb2O3，所述的钡源包括BaCO3，所述的钛源包括TiO2，所述的锡源包括SnO2。4.根据权利要求2所述的一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，初次球磨过程中，球磨时间为12
‑
15h；二次球磨过程中，球磨时间为12
‑
15h。5.根据权利要求2所述的一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，煅烧过程中，升温速率为3
‑
5℃/min，煅烧温度为800
‑
900℃，煅烧时间为3
‑
6h。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈波，曹英博，林锦锋，翟继卫，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：