一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子陶瓷材料领域，具体涉及一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]电子陶瓷(electronic ceramic)，是指在电子工业中能够利用电、磁性质的陶瓷。其是通过对表面、晶界和尺寸结构的精密控制而最终获得具有新功能的陶瓷，也是目前航天、新能源、新材料、微电子、激光、海洋工程和生物工程等高新技术的重要组成部分和不可缺少的物质基础，是当前高技术竞争的热点之一。
[0003]钙钛矿电子陶瓷材料目前被作为压电陶瓷、微波陶瓷、半导体陶瓷等被广泛应用，但是较高的介电损耗阻碍了其进一步应用，而且对于含Co的Ba(B
′
1/3
B"
2/3
)O3钙钛矿型电子陶瓷材料在高温烧结时，Co的化学价态不稳定，且易形成富Nb的第二相，这也增大了介电损耗。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：针对上述技术问题，本专利技术提供了一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑
x
Mn
x
)
1/3
Nb
2/3
]O3，0＜x≤0.4。2.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，所述掺杂助剂中Al2O3和Ta2O5的质量比为1
‑
10：1
‑
10。3.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，所述氟化物为LF、MF2或ReF3，其中L为碱金属，M为Ca或Mg，Re为Y、La、Gd、Dy、Tm、Yb。4.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，所述LiAlO2与氟化物的质量比为3
‑
5：1。5.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，所述掺杂助剂用量为钙钛矿型电子陶瓷主晶相质量的2
‑
5％。6.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，所述烧结助剂用量为钙钛矿型电子陶瓷主晶相质量的3
‑
3.5％。7.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，x为0.25。8.一种如权利要求1
‑
7中任一项所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体如下：S1：先将Co3O4、MnO、Nb2O5加入球磨罐，以无水乙醇作为球磨介质，500
‑
550r/min下球磨湿混10
‑
16h，再600
‑
650r/min下球磨干混3
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：方豪杰，贺亦文，张晓云，曾雄，张斗，黄荣厦，龙莹，
申请(专利权)人：湖南省美程陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：