【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备用气浴系统
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,具体而言,涉及一种半导体设备用气浴系统。
技术介绍
[0002]现有的半导体设备气浴的终端组件多是由匀流腔、匀流布、孔板等组成,此类技术方案将前端风机后高效过滤器过滤完成的气体进行匀流后吹扫,为半导体设备内部元件提供洁净、稳定的气浴处理。少部分半导体设备气浴系统采用高效过滤器、静压腔和导流板进行匀流过滤。
[0003]上述现有的气浴系统存在如下缺陷:
[0004]1、安装空间大
[0005]由于静压腔设置于高效过滤器的上游,而静压腔加孔板等结构的尺寸常在100mm以上,整体气浴模块高度大于180mm以上才能保证气浴出风相对均匀。
[0006]2、洁净度低
[0007]采用匀流布、匀流腔而无高效过滤器的气浴方式,虽然自身高度降低,但由于自身模块不具备过滤功能;而仅将过滤功能放在风机后的高效过滤器,气体经长距离管道输送到达胶水密封的匀流布终端模块,直至最终出气均未经再次过滤,故洁净度较低。
[0008]3、温控 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备用气浴系统,其特征在于,包括壳体(100);所述壳体(100)内分别设置第一紊流静压腔(110)和第二紊流静压腔(120);所述第一紊流静压腔(110)和所述第二紊流静压腔(120)之间设置有气体发散层流腔(130)和过滤器(140);所述第一紊流静压腔(110)上设置有进气口;气体从所述进气口进入所述第一紊流静压腔(110)后,经由所述气体发散层流腔(130)进入所述第二紊流静压腔(120),最后经过所述过滤器(140)流向所述壳体(100)的外部;所述气体发散层流腔(130)的深度小于所述第一紊流静压腔(110)的深度和所述第二紊流静压腔(120)的深度。2.根据权利要求1所述的半导体设备用气浴系统,其特征在于,所述过滤器(140)为低压降过滤器。3.根据权利要求1所述的半导体设备用气浴系统,其特征在于,所述壳体(100)的底部设置开口,所述过滤器(140)插入所述开口实现安装固定。4.根据权利要求1所述的半导体设备用气浴系统,其特征在于,所述进气口的外侧设置有进气管(150),所述进气管(150)的轴线朝向所述过滤器(140)的侧...
【专利技术属性】
技术研发人员:周甜,
申请(专利权)人:北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所,
类型:发明
国别省市:
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