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本发明提供了一种半导体设备用气浴系统包括壳体；壳体内分别设置第一紊流静压腔和第二紊流静压腔；第一紊流静压腔和第二紊流静压腔之间设置有气体发散层流腔和过滤器；第一紊流静压腔上设置有进气口；气体从进气口进入第一紊流静压腔后，经由气体发散层流腔进...该专利属于北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）授权不得商用。