射频开关电路及射频前端模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频开关电路及射频前端模组，该射频开关电路，包括晶体管堆栈电路，晶体管堆栈电路的第一端连接至信号传输链路的第一节点上，晶体管堆栈电路的第二端与接地端连接；晶体管堆栈电路包括N个依次串联连接的晶体管，其中，N≥2；晶体管堆栈电路中的每一晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，体区电阻被配置为对晶体管堆栈电路中的每一晶体管体区上的泄露电流进行抑制；从而不但可以避免因每一晶体管体区上的泄露电流过大而导致出现射频开关电路的插入损耗过大的问题，还能保证所述晶体管堆栈电路中的每一晶体管所承担压降的均匀性，防止射频开关电路中因晶体管承担电压不一致而导致晶体管被击穿。体管被击穿。体管被击穿。

【技术实现步骤摘要】
射频开关电路及射频前端模组


[0001]本技术涉及射频
，尤其涉及一种射频开关电路及射频前端模组。

技术介绍

[0002]随着无线移动通信标准的不断演进，例如第五代(5G)和窄带物联网，射频开关电路在射频前端模组和天线调谐器中扮演了越来越重要的作用。目前，射频开关电路通常包括以堆栈配置实现的多个晶体管和多个偏置电阻。在射频开关电路工作过程中，由于寄生电容的存在，从而导致射频开关电路中不同晶体管上不可避免地存在泄漏电流，从而导致每一个开关器件(晶体管) 所承担的分压不均匀，容易发生因射频开关电路中各个开关器件(晶体管) 所承担的电压不均匀，导致射频开关电路损坏。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种射频开关电路及射频前端模组，以解决射频开关电路中每一个晶体管所承担的分压不均匀的问题。
[0004]一种射频开关电路，包括晶体管堆栈电路，所述晶体管堆栈电路的第一端连接至信号传输链路的第一节点上，所述晶体管堆栈电路的第二端与接地端连接；所述晶体管堆栈电路包括N个依次串联连接的晶体管，其中，N≥2；所述晶体管堆栈电路中的每一所述晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，所述体区电阻被配置为对所述晶体管堆栈电路中的每一所述晶体管体区上的泄露电流进行抑制。
[0005]进一步地，所述晶体管堆栈电路中的第一个晶体管的漏极与所述第一节点连接，所述第一个晶体管的源极与第二个晶体管的漏极连接，第i
‑
1个所述晶体管的源极与第i个所述晶体管的漏极连接，所述第N个晶体管的源极与所述接地端相连，其中，2≤i≤N。
[0006]进一步地，所述晶体管堆栈电路中相邻两个晶体管的体区通过所述体区电阻连接，所述与接地端连接的第N个晶体管的体区通过所述体区电阻连接至所述体偏置电压端。
[0007]进一步地，所述晶体管堆栈电路中的每一所述晶体管的栅极通过至少一个栅极电阻连接至栅偏置电压端，所述栅极电阻被配置为对所述晶体管堆栈电路中的每一所述晶体管栅极上的泄露电流进行抑制。
[0008]进一步地，所述晶体管堆栈电路中的每一晶体管的栅极通过一个所述栅极电阻连接至所述栅偏置电压端。
[0009]进一步地，所述栅极电阻的阻值小于所述体区电阻的阻值。
[0010]进一步地，所述晶体管堆栈电路中相邻两个晶体管的栅极通过所述栅极电阻连接，所述与接地端连接的第N个晶体管的栅极通过所述栅极电阻连接至所述栅偏置电压端。
[0011]进一步地，与第一个晶体管连接的第一个栅极电阻的阻值至与第N个晶体管连接的第N个栅极电阻的阻值呈递减的趋势。
[0012]进一步地，与第一个晶体管连接的第一个栅极电阻的阻值至与第N个晶体管连接的第N个栅极电阻的阻值呈递增的趋势。
[0013]一种射频前端模组，包括上述的射频开关电路。
[0014]上述射频开关电路及射频前端模组，射频开关电路包括晶体管堆栈电路，晶体管堆栈电路的第一端连接至信号传输链路的第一节点上，晶体管堆栈电路的第二端与接地端连接；晶体管堆栈电路包括N个依次串联连接的晶体管，其中，N≥2；晶体管堆栈电路中的每一晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，体区电阻被配置为对晶体管堆栈电路中的每一晶体管体区上的泄露电流进行抑制。本实施例通过使晶体管堆栈电路中的每一晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，达到通过体区电阻来对晶体管堆栈电路中的每一晶体管的体区的泄露电流进行抑制的目的，从而不但可以避免因每一晶体管体区上的泄露电流过大而导致出现射频开关电路的插入损耗过大的问题，还能保证所述晶体管堆栈电路中的每一晶体管所承担压降的均匀性，进而提升了射频开关电路的耐压能力，防止射频开关电路中因晶体管承担电压不一致而导致晶体管被击穿。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本技术一实施例中射频开关电路的另一电路示意图；
[0017]图2是本技术一实施例中射频开关电路的另一电路示意图；
[0018]图3是本技术一实施例中射频开关电路的另一电路示意图；
[0019]图4是本技术一实施例中射频开关电路的另一电路示意图。
[0020]图中：10、信号传输链路；20、晶体管堆栈电路。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]应当理解的是，本技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0023]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部
件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0024]空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
…
下面”和“在
…
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0025]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路，其特征在于，包括晶体管堆栈电路，所述晶体管堆栈电路的第一端连接至信号传输链路的第一节点上，所述晶体管堆栈电路的第二端与接地端连接；所述晶体管堆栈电路包括N个依次串联连接的晶体管，其中，N≥2；所述晶体管堆栈电路中的每一所述晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，所述体区电阻被配置为对所述晶体管堆栈电路中的每一所述晶体管体区上的泄露电流进行抑制。2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述晶体管堆栈电路中的第一个晶体管的漏极与所述第一节点连接，所述第一个晶体管的源极与第二个晶体管的漏极连接，第i
‑
1个所述晶体管的源极与第i个所述晶体管的漏极连接，所述第N个晶体管的源极与所述接地端相连，其中，2≤i≤N。3.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述晶体管堆栈电路中相邻两个晶体管的体区通过所述体区电阻连接，所述与接地端连接的第N个晶体管的体区通过所述体区电阻连接至所述体偏置电压端。4.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述晶体管堆栈电路中...

【专利技术属性】
技术研发人员：余文敏，王欢，王蕴洲，刘跃，蓝焕青，陈劲业，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐磐微电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：