【技术实现步骤摘要】
一种射频开关芯片
[0001]本技术涉及射频开关领域,特别涉及一种射频开关芯片。
技术介绍
[0002]如图1所示的现有技术中射频开关芯片的射频开关电路,具有射频信号的输入端IN、输出端Out,输入端IN和输出端Out之间通过若干个开关元件(例如,场效应晶体管(FET)M1、M2、M3、
…
、MN)进行连接,所有开关元件被共同地布置在堆栈配置中,以提高射频开关承受的功率。
[0003]然而,在实际应用过程中,从偏置电压端Vg传输的偏置控制信号和从输入端IN传输的射频信号之间容易出现相互干扰,因此,如何解决射频开关芯片的射频信号和偏置控制信号之间的干扰成为亟待解决的问题。
技术实现思路
[0004]针对上述技术问题,本技术提供一种射频开关芯片,以解决现有射频开关芯片的射频开关电路中偏置控制信号和射频信号之间相互干扰的问题。
[0005]本技术提供一种射频开关芯片,包括:
[0006]射频开关电路,所述射频开关电路包括射频输入端、射频输出端、偏置电压控制端、晶体管堆叠和信号屏 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频开关芯片,其特征在于,包括射频开关电路,所述射频开关电路包括射频输入端、射频输出端、偏置电压控制端、晶体管堆叠和信号屏蔽结构;所述晶体管堆叠包括依次串联连接在所述射频输入端和所述射频输出端之间的N个晶体管,所述偏置电压控制端通过所述信号屏蔽结构与至少部分所述晶体管的栅极连接,所述信号屏蔽结构包括信号传输线,所述信号屏蔽结构被配置为减小对所述信号传输线的信号干扰。2.根据权利要求1所述的射频开关芯片,其特征在于,所述射频输入端、所述晶体管堆叠和所述射频输出端之间形成用于传输射频信号的射频传输线,所述信号屏蔽结构被配置为减小所述信号传输线和射频传输线之间的信号干扰。3.根据权利要求1所述的射频开关芯片,其特征在于,所述信号传输线为偏置电压控制端与至少部分所述晶体管的栅极之间连接的传输线。4.根据权利要求1所述的射频开关芯片,其特征在于,所述射频开关芯片还包括栅极电阻,至少部分所述晶体管的栅极通过一栅极电阻与所述信号传输线连接。5.根据权利要求4所述的射频开关芯片,其特征在于,所述栅极电阻的电阻值为25kΩ
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40kΩ。6.根据权利要求1所述的射频开关芯片,其特征在于,所述信号屏蔽结构包括:自上而下设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间...
【专利技术属性】
技术研发人员:王欢,王蕴洲,蓝焕青,陈劲业,刘跃,倪建兴,
申请(专利权)人:锐磐微电子科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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