一种硅的深槽刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种硅的深槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域。本发明专利技术包括以下步骤：S1：预热；S2：调整外部因素；S3：沉积；S4：刻蚀；S5：侧壁改善，然后通过第二沉积气体在刻蚀界面的侧壁形成第二保护层，附着在第一保护层的表面；S6：交替循环执行S3、S4、S5直到刻蚀达到预定的深度，且在交替循环过程中，第一沉积气体和第二沉积气体的各组分的混合量均随刻蚀深度的变化而动态调整；S7：结束刻蚀。本发明专利技术方法能应用于超高深宽比沟槽结构的刻蚀，通过将一个刻蚀循环分解为沉积、刻蚀以及侧壁改善三个子过程，双重侧壁沉积可大大改善侧壁的形貌，解决了现有的深槽刻蚀方法加工效率低下，且侧壁形貌不够理想的问题。貌不够理想的问题。貌不够理想的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种硅的深槽刻蚀方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种硅的深槽刻蚀方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着微电子技术的发展，MEMS受到各发达国家政府和科学家的高度重视，而深硅刻蚀技术作为实现MEMS的关键，越来越受到广泛关注，随着MEMS器件和MEMS系统被越来越广泛的应用于汽车和消费电子领域，以及TSV通孔刻蚀技术在未来封装领域的广阔前景，干法等离子体深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS加工领域及TSV技术中的主流工艺之一。
[0003]目前，主要采用Bosch工艺进行深硅刻蚀，具体地，采用Bosch工艺进行深硅刻蚀的过程为刻蚀步骤与沉积步骤交替循环进行的过程，其中，沉积步骤的作用在于在沟槽的侧壁沉积一层聚合物作为保护层来保护侧壁不受侵蚀，但现有的深槽刻蚀方法在实际使用中仍存在以下弊端：
[0004]1.现有的深槽刻蚀方法刻蚀的精确度不够高，刻蚀速率低下且侧壁形貌有待改善；
[0005]2.现有的深槽刻蚀方法的沉积层与硅材的接触紧密性不够，刻蚀出的深槽质量较差。
[0006]因此，现有的深槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅的深槽刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：预热，对硅材以及第一沉积气体、第二沉积气体、刻蚀气体均预热至25～30℃；S2：调整外部因素，控制外部刻蚀环境温度至25～30℃，外部环境湿度至40％～70％；S3：沉积，通过第一沉积气体生成第一保护层以对刻蚀侧壁进行保护；S4：刻蚀，通过刻蚀气体对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；S5：侧壁改善，提供第二沉积气体，并通过超声设备对第二沉积气体进行空化作用，然后通过第二沉积气体在刻蚀界面的侧壁形成第二保护层，附着在第一保护层的表面；S6：交替循环执行S3、S4、S5直到刻蚀达到预定的深度，且在交替循环过程中，第一沉积气体和第二沉积气体的各组分的混合量均随刻蚀深度的变化而动态调整；S7：结束刻蚀。2.根据权利要求1所述的一种硅的深槽刻蚀方法，其特征在于，所述第一沉积气体设置为SiF4和O2的混合物。3.根据权利要求1所述的一种硅的深槽刻蚀方法，其特征在于，所述第二沉积气体设置为C4F8和O2的混合物。4.根据权利要求1所述的一种硅的深槽刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体设置为SF6。5.根据权利要求1所述的一种硅的深槽刻蚀方法，其特征在于，所述第一沉积气体的流量为300sccm～350sccm，上射频功率为1200W～1400W，下射频功率为0W，工艺气压为80mT～120mT，沉积温度为15℃～20℃，沉积时间为4s。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛雷，杨小正，傅瑜，
申请(专利权)人：丹东华顺电子有限公司，
类型：发明
国别省市：