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本发明公开了一种硅的深槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域。本发明包括以下步骤：S1：预热；S2：调整外部因素；S3：沉积；S4：刻蚀；S5：侧壁改善，然后通过第二沉积气体在刻蚀界面的侧壁形成第二保护层，附着在第一保护层的表面；S6：交替循环执行...
该专利属于丹东华顺电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过丹东华顺电子有限公司授权不得商用。

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