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一种Co制造技术

技术编号:33458605 阅读:13 留言:0更新日期:2022-05-19 00:40
本发明专利技术属于超级电容器领域,本发明专利技术公开了一种Co

【技术实现步骤摘要】
一种Co
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Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片及其修饰电极和应用


[0001]本专利技术属于超级电容器领域,本专利技术公开了一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片及其修饰电极和应用。

技术介绍

[0002]超级电容器作为一种新型的储能器件,因具有安全性好,功率密度高,充放电速度快,循环寿命长等优点,在能源储存领域有着广泛的应用前景。在超级电容器的研究中,电极材料是决定超级电容器性能的主要因素。
[0003]电极材料被认为是超级电容器领域的重要部分。碳材料,金属氧化物,金属硫化物,导电聚合物和微孔聚合物等许多材料已经被应用于电极材料方面。其中聚吡咯等导电高分子电极材料,通过法拉第赝电容原理来实现电能储能,其反应发生于电极材料的表面和体相的二维或三维空间,使导电聚合物能够存储高能量密度的电荷,产生较高的法拉第赝电容。导电聚合物合成方便,具有电导率较高,但作为电容器电极材料,其电容内阻较大、大功率放电性能差、长期循环稳定性能较差,这些问题都大大限制了导电聚合物在超级电容器储能领域的应用。
[0004]金属离子通过有机配体配位可原位生长于导电聚合物表面,借助金属离子本身的导电能力,可降低导电聚合物内阻,且有助于维持导电聚合物自身的空间结构,强化其循环稳定性能等优点,对导电聚合物在超级电容器方面的优化有着重大意义。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种Co
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Zr
2+
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MeIm)
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@PPy/GO纳米片及其修饰电极和应用,该复合物具有较高的电容量、循环稳定性和良好的倍率性能。
[0006]本专利技术为实现上述目的,所采用的技术方案如下:一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,制备方法包括如下步骤:
[0007]1)在超声辐射的条件下,将吡咯原位化学聚合于GO纳米片上,得PPy/GO纳米片;
[0008]2)在加热的条件下,将2

氯甲基咪唑啉盐酸盐修饰PPy/GO纳米片上,得2

MeIm/PPy/GO纳米片;
[0009]3)将2

MeIm/PPy/GO纳米片和2

甲基咪唑分散于甲醇中,然后依次加入氯化钴和氯化锆,静置,将钴锆双金属络合物负载到2

MeIm/PPy/GO纳米片上,得到钴锆双金属络合物/聚吡咯/氧化石墨烯(Co
2+

Zr
2+
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MeIm)
x
@PPy/GO)纳米片。
[0010]优选地,上述的一种Co
2+

Zr
2+
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MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,步骤1)具体为:去离子水中加入GO纳米片超声分散,再加入吡咯,超声分散后加入FeCl3·
6H2O,继续超声,所得产物依次用蒸馏水和乙醇进行洗涤,离心,真空干燥,得PPy/GO纳米片。
[0011]优选地,上述的一种Co
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Zr
2+
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MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,步骤2)具体为:在容器中加入PPy/GO,DMF,2

氯甲基咪唑啉盐酸盐,超声,加入KOH粉末,超声后进行回流反应,冷却后所得产物依次用蒸馏水和乙醇进行洗涤,离心,真空干燥,得到2

MeIm/PPy/GO纳米片。
[0012]优选地,上述的一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,回流反应温度为60℃,反应时间为24h。
[0013]优选地,上述的一种Co
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Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,步骤3)具体为:在容器中加入2

MeIm/PPy/GO,甲醇,2

甲基咪唑,超声,在另一个容器中加入CoCl2.6H2O,ZrCl4和甲醇,将两种溶液混合封上保鲜膜,在25℃的条件下静置24h,所得产物依次用蒸馏水和乙醇进行洗涤,离心,真空干燥,得到Co
2+

Zr
2+
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MeIm)
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@PPy/GO纳米片。
[0014]一种基于Co
2+

Zr
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MeIm)
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@PPy/GO纳米片的修饰电极,是以泡沫镍为基底电极,将上述的任一项Co
2+

Zr
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@PPy/GO纳米片附着在泡沫镍上制成Co
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Zr
2+
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MeIm)
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@PPy/GO修饰电极。
[0015]上述的一种基于Co
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Zr
2+
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MeIm)
x
@PPy/GO纳米片的修饰电极的制备方法,包括如下步骤:
[0016]1)将上述的Co
2+

Zr
2+
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MeIm)
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@PPy/GO纳米片、乙炔黑及偏四氟乙烯,超声分散于1mL无水乙醇中,得分散均匀的复合修饰剂;
[0017]2)将分散均匀的复合修饰剂滴涂于干净的泡沫镍表面,室温下干燥,之后用压片机进行压片,得到Co
2+

Zr
2+
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MeIm)
x
@PPy/GO修饰电极。
[0018]上述的一种基于Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片的修饰电极在超级电容器领域中的应用。
[0019]优选地,上述的应用,方法如下:将上述的基于Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,其特征在于,制备方法包括如下步骤:1)在超声辐射的条件下,将吡咯原位化学聚合于GO纳米片上,得PPy/GO纳米片;2)在加热的条件下,将2

氯甲基咪唑啉盐酸盐修饰PPy/GO纳米片上,得2

MeIm/PPy/GO纳米片;3)将2

MeIm/PPy/GO纳米片和2

甲基咪唑分散于甲醇中,然后依次加入氯化钴和氯化锆,静置,将钴锆双金属络合物负载到2

MeIm/PPy/GO纳米片上,得到钴锆双金属络合物/聚吡咯/氧化石墨烯纳米片Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片。2.根据权利要求1所述的一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,其特征在于,步骤1)具体为:去离子水中加入GO纳米片超声分散,再加入吡咯,超声分散后加入FeCl3·
6H2O,继续超声,所得产物依次用蒸馏水和乙醇进行洗涤,离心,真空干燥,得PPy/GO纳米片。3.根据权利要求1所述的一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,其特征在于,步骤2)具体为:在容器中加入PPy/GO,DMF,2

氯甲基咪唑啉盐酸盐,超声,加入KOH粉末,超声后进行回流反应,冷却后所得产物依次用蒸馏水和乙醇进行洗涤,离心,真空干燥,得到2

MeIm/PPy/GO纳米片。4.根据权利要求1所述的一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,其特征在于,回流反应温度为60℃,反应时间为24h。5.根据权利要求1所述的一种Co
2+

Zr
2+
/(2

MeIm)
x
@PPy/GO纳米片,其特征在于,步骤3)具体为:在容器中加入2

MeIm/PPy/GO,甲醇,2

甲基咪唑,超声,在另一个容器中加入Co...

【专利技术属性】
技术研发人员:茆卉张帅柳金池宋溪明
申请(专利权)人:辽宁大学
类型:发明
国别省市:

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