电池充电装置或直流电源供应电路制造方法及图纸

技术编号:3345573 阅读:219 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术是有关一种电池充电装置或直流电源供应电路,主要是以一控制电路透过一SCR驱动电路以及一MOS驱动电路来控制一半导体开关单元的启/闭时间,并使该半导体开关单元在每个正半波的启始段及结束段低于预定准位时开启,以在AC电源的每个正半波取得头尾各一切角做为充电电源;当应用于充电时,本发明专利技术所提供的电池充电装置或直流电源供应电路具有质轻、体积小,且可延长电池寿命等特性。用于直流电源供应器具有体积小、效率高和成本低等特性。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是与电子装置有关,特别是指一种电池充电装置或直流电源供应电路
技术介绍
已知的电池充电器,主要是搭配一个成本高、体积大、重量重的变压器来将AC电源降压,以取得充电电源来对电池进行充电,而此种方式的充电器,受到变压器的限制而产生携带不便的问题。产业上另有一种“无变压器”的脉冲充电电路,可解决前述有变压器的充电电路的缺点;图7所示,是为一已知的脉冲充电电路,其主要的技术在于利用控制电路来切取AC电源负斜率边的低压部份,并以该低压的部份做为充电的电源来对电池充电;然而,由于SCR(硅控整流器)在触发后无法由闸端来关闭它,因此在AC电源到达负斜率边且已触发SCR后,如果碰到AC电源不稳的状况(例如电力公司并联供电电源相位偏移或电源插头摇晃)时,AC电源的电压准位有可能未下降至SCR的断流准位即又上升,此会导致SCR未能即时关闭,造成电流过大而将电路烧毁。另外,传统的直流充电技术在长时间后,会使电池的极板结晶,结晶后极板的反应面积减少,输入输出的阻抗即因而增久电池老化,老化的电池在充电时会产生一虚疑电压导致充电无法实际充满电池寿命即因而减少;有监于上述缺点,因此本案专利技术人乃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,包含有:一整流单元,连接于交流电源,用以将交流电源的正弦波予以整流成为多数正半波;一控制电路,内含微处理器用以提供预定的运算以及控制功能;一半导体开关单元,由一硅控整流 器串接一MOS开关的输入端所组成,该硅控整流器连接于该整流单元;一MOS开关驱动电路,连接于该MOS开关的控制端,且连接于该控制电路,可受该控制电路的控制来驱动该MOS开关的开闭;一限制准位电路,主要由一OP比较器与一齐纳二 极管所组成,其中,该OP比较器的二输入端连接于该整流单元以及该齐纳二极管,该齐纳...

【技术特征摘要】
1.一种电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,包含有一整流单元,连接于交流电源,用以将交流电源的正弦波予以整流成为多数正半波;一控制电路,内含微处理器用以提供预定的运算以及控制功能;一半导体开关单元,由一硅控整流器串接一MOS开关的输入端所组成,该硅控整流器连接于该整流单元;一MOS开关驱动电路,连接于该MOS开关的控制端,且连接于该控制电路,可受该控制电路的控制来驱动该MOS开关的开闭;一限制准位电路,主要由一OP比较器与一齐纳二极管所组成,其中,该OP比较器的二输入端连接于该整流单元以及该齐纳二极管,该齐纳二极管的另一端连接于该MOS开关的输出端,该OP比较器的输出端连接于该控制电路以及该MOS开关驱动电路,用以提供对该MOS开关预定电压准位的限制;一硅控整流器驱动电路,主要由一脉冲变压器以及一晶体管所组成,该晶体管连接于该控制电路以及该脉冲变压器的一次侧,该脉冲变压器的二次侧连接于该硅控整流器的闸端;由此,可将欲充电的电池的一端连接于该MOS开关,另一端接地,透过该控制电路来控制该MOS开关驱动电路以及该硅控整流器驱动电路,进而驱动该半导体开关单元的启闭状态及时序,以在整流后的正半波电源中局部取出充电电流,来对该电池充电。2.依据权利要求1所述的电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,其中还包含有一放电电路,主要由一晶体管与若干电阻所组成,连接于该MOS开关的输出端以及该控制电路,用以受该控制电路的控制而呈导通状态以放电。3.依据权利要求1所述的电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,其中该整流单元是为一桥式整流器。4.依据权利要求1所述的电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,其中该MOS开关是为一金氧半场效晶体管或一双极电源晶体管。5.依据权利要求1所述的电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,其中该微处理器内含可程序化单晶片。6.依据权利要求1所述的电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,其中还包含有一电容,一端连接于该MOS开关,另一端接地,而形成一直流电源供应电路。7.一种电池充电装置或直流电源供应电路,其特征在于,包含有一整流单元,连接于交流电源,用以将交流电源的正弦波予以整流成为多数正半波;一...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏成谷
申请(专利权)人:车王电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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