阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，阵列基板包括：基底；形成在基底上方的金属遮光部；覆盖在金属遮光部上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅极和扫描线，栅极与扫描线导电连接；覆盖在栅极和扫描线上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上的有源层，有源层在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影内，金属遮光部在基底上的正投影环绕着有源层在基底上的正投影。本发明专利技术的阵列基板改善了TFT因光生漏电导致误充电的现象。光生漏电导致误充电的现象。光生漏电导致误充电的现象。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示器
，特别是涉及阵列基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]当前pixel架构为防止背光模组发出的光照射在有源层10a上而产生光生漏电流，通常仅采用栅极10b遮挡住背光模组发出的光，避免有源层10a被背光模组发出的光照射。其中，为了使有源层10a不偏出栅极10b遮挡的范围，需要增大金属栅极10b的面积。但对于某些特定角度的入射光线仍会照射在有源层10a上，产生光生漏电流，导致误充，影响正常显示。
[0003]例如，当第一绝缘层厚度为3100A、栅极绝缘层10c和栅极10b总厚度为6600A，且入射光线与玻璃基板夹角为16
°
时，有源层10a边缘距栅极10b边缘应大于等于3.7um，才能保证入射角为16
°
的光线不会入射至有源层10a上。但当入射光线与玻璃基板夹角小于16
°
时，入射光线仍会照射在TFT的有源层10a上(如图1中的箭头所示)，最终导致光生漏电。此外，有源层10a偏移到极限位置时(栅极10b的边缘)，即有源层10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基底(11)；形成在所述基底(11)上方的金属遮光部(121)；覆盖在所述金属遮光部(121)上的第一绝缘层(13)；形成在所述第一绝缘层(13)上的栅极(141)和扫描线(142)，所述栅极(141)与所述扫描线(142)导电连接；覆盖在所述栅极(141)和所述扫描线(142)上的第二绝缘层(15)；形成在所述第二绝缘层(15)上的有源层(161)，所述有源层(161)在所述基底(11)上的正投影位于所述栅极(141)在所述基底(11)上的正投影内，所述金属遮光部(121)在所述基底(11)上的正投影环绕着所述有源层(161)在所述基底(11)上的正投影。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光部(121)在所述基底(11)上的正投影与所述栅极(141)在所述基底(11)上的正投影至少部分重合。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层(13)包括凸起部(131)，所述凸起部(131)在所述基底(11)上的正投影环绕着所述有源层(161)在所述基底(11)上的正投影，所述栅极(141)至少部分覆盖在所述凸起部(131)上。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极(141)包括遮光台(1413)、连接部(1411)和主体部(1412)，所述遮光台(1413)与所述主体部(1412)上下错位设置，所述遮光台(1413)至少部分覆盖在所述凸起部(131)上，所述连接部(1411)连接于所述遮光台(1413)与所述主体部(1412)之间，所述有源层(161)与所述主体部(1412)上下对应设置。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起部(131)在所述基底(11)上的正投影与所述金属遮光部(121)在所述基底(11)上的正投影至少部分重合。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供基底(11)；在所述基底(11)上方形成整面的第一金属层(12)，对所述第一金属层(12)进行图形化处理，使所述第一金属层(12)形成金属遮光部(121)；在所述基底(11)上方形成覆盖所述金属遮光部(121)的第一绝缘层(13)；在所述第一绝缘层(13)上方形成整面的第二金属层(14)，对所述第二金属层(14)进行图形化处理，使所述第二金属层(14)形成栅极(141)和扫描线(142)，所述栅极(141)与所述扫描线(142)导电连接；在所述第一绝缘层(13)上方形成覆盖所述栅极(141)与所述扫描线(142)的第二绝缘层(15)；在所述第二绝缘层(15)上方形成有源层(161)，所述有源层(161)在所述基底(11)...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨珊珊，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：