阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底，以及位于衬底上的TFT、第一钝化层和透明显示电极。该透明显示电极与TFT中的有源层图案之间仅存在第一钝化层，如此，该阵列基板内不存在有机绝缘层，有效的简化了阵列基板的膜层结构，进而简化了该阵列基板的制造过程，以及降低了该阵列基板的制造成本。又由于透明显示电极在衬底上的正投影与TFT中的有源层图案在衬底上的正投影不存在交叠区域，因此，即使透明显示电极与有源层图案之间的距离较小，该透明显示电极上加载的电压对TFT的开启和关断造成的影响较小。小。小。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示
的发展，各种具有显示功能的产品出现在日常生活中，例如手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框和导航仪等，这些产品都无一例外的需要装配显示面板。
[0003]目前，大部分显示面板可以包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。该阵列基板可以包括：薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)，用于包覆该薄膜晶体管的第一钝化层，以及位于该第一钝化层上层叠设置的有机绝缘层、公共电极、第二钝化层和像素电极，该像素电极可以与薄膜晶体管电连接。
[0004]但是，目前阵列基板上的膜层结构较多，导致该阵列基板的制造较为复杂，且制造成本较高。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种阵列基板及显示装置。可以解决目前的阵列基板的制造较为复杂，且制造成本较高的问题，所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种阵列基板，包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层图案；位于所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述第一钝化层包覆所述薄膜晶体管；位于所述第一钝化层上的透明显示电极，所述透明显示电极与所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧接触，且所述透明显示电极具有镂空区域，所述有源层图案在所述衬底上的正投影位于所述镂空区域在所述衬底上的正投影内，其中，所述透明显示电极为公共电极或像素电极；以及，位于所述镂空区域内且与所述透明显示电极隔断的空载保护电极，所述空载保护电极具有导电性能，所述空载保护电极与所述第一钝化层远离所述薄膜晶体管的一侧接触，且所述空载保护电极在所述衬底上的正投影与所述有源层图案在所述衬底上的正投影存在交叠区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层图案在所述衬底上的正投影位于所述空载保护电极在所述衬底上的正投影内。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明显示电极与所述空载保护电极同层设置，且材料相同。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述空载保护电极在所述衬底上的正投影的边界，与所述有源层图案在所述衬底上的正投影的边界之间的最小距离大于或等于2微米。6.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅极、栅极绝缘层和源漏极，所述栅极位于所述有源层图案靠近所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：马健，任文明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：