阵列基板及显示面板制造技术

本申请公开一种阵列基板及显示面板，其中阵列基板包括：基板；第一电极层，所述第一电极层设在所述基板上，所述第一电极层包括第一电极、第二电极和第三电极；第一导电沟道和第二导电沟道，所述第一电极与所述第一导电沟道和所述第二导电沟道中的一者连接，所述第二电极与所述第一导电沟道以及所述第二导电沟道连接，所述第三电极与所述第一导电沟道和所述第二导电沟道中的另一者连接。本申请通过将阵列基板上两个晶体管的第一导电沟道和所述第二导电沟道共同与第二电极连接，使得两个与像素连接的晶体管最大限度地堆叠，从而增大了基板的开口率。的开口率。的开口率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示面板向着大尺寸/高分辨率/高频率及自发光显示模式等方向发展，对于控制开关和驱动显示的薄膜晶体管的迁移率和稳定性提出了越来越高的要求，而目前显示行业常用的非晶硅薄膜晶体管器件的迁移率低，开态电流低，无法满足高阶显示产品的需求，主要体现为LCD显示面板的充电不足，以及OLED显示面板、MiniLED显示面板和Micro LED显示面板的亮度不足。而金属氧化物薄膜晶体管的迁移率达到非晶硅膜晶体管的迁移率的10～100倍，可以满足新型高阶显示产品的需求，因此金属氧化物薄膜晶体管及其显示面板越来越受到业界的重视。
[0003]但随着显示产品朝着更高分辨率和更高频率发展，薄膜晶体管的尺寸增大会影响显示基板的开口率。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种阵列基板及显示面板，以提高显示基板的开口率。
[0005]本申请提供一种阵列基板，其包括：
[0006]基板；
[0007]第一电极层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一电极层，所述第一电极层设在所述基板上，所述第一电极层包括第一电极、第二电极和第三电极；第一导电沟道和第二导电沟道，所述第一电极与所述第一导电沟道和所述第二导电沟道中的一者连接，所述第二电极与所述第一导电沟道以及所述第二导电沟道连接，所述第三电极与所述第一导电沟道和所述第二导电沟道中的另一者连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极位于所述第一电极和所述第三电极之间。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第三电极相对向设置，所述第二电极与所述第一电极以及所述第三电极在长度方向的延伸线相垂直。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一栅极和第二栅极，所述第一导电沟道和所述第二导电沟道位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极、所述第一导电沟道和所述第二栅极在所述基板上的正投影相重叠，所述第一栅极、所述第二导电沟道和所述第二栅极在所述基板上的正投影相重叠。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；第一栅极层，所述第一栅极层设在所述基板上，所述第一栅极层包括第一栅极和第二栅极；第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述第一栅极层上；第一半导体层，所述第一半导体层设在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括所述第一导电沟道和第二导电沟道；第一电极层，所述第一电极层设在所述第一半导体层上，所述第一电极层包括第一电极、第二电极以及第三电极。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层；所述第二绝缘层设在所述第一半导体层上；所述第一电极层设...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，张宁，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：