一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法技术

本发明专利技术公开一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法，属于微电子工艺制造领域。本发明专利技术通过采用特殊的CVD或ALD淀积的方法，淀积温度小于800摄氏度，制备MOS器件的高质量栅氧化层SiO2介质；在CVD或ALD淀积MOS器件栅氧化层前，通过采用传统热栅氧工艺在硅衬底表面生长厚度小于的SiO2，降低界面态密度，提升器件参数稳定性。本发明专利技术能够降低器件栅氧化层SiO2制造过程中的热预算，提升STI隔离区界面处P型Si的硼掺杂浓度，提升器件的抗电离总剂量辐射能力，且不需增加光刻次数，不增加制造成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法


[0001]本专利技术涉及微电子工艺制造
，特别涉及一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法。

技术介绍

[0002]MOS器件是现代大规模集成电路的基础组成部分，主要分为N型MOS器件和P型MOS器件，N型MOS器件导电的载流子为电子，P型MOS器件导电的载流子为空穴。在集成电路中，往往通过N型MOS器件和P型MOS器件结合，设计成反相器、寄存器、SRAM存储单元的结构。
[0003]当MOS器件工作在电离辐射环境中时，MOS器件中的SiO2隔离介质会发生电离，形成电子空穴对，电子在电场作用下很快的离开介质区域，而同时产生的空穴质量较大，移动速度较慢，并且容易被介质中的陷阱俘获，形成固定的正电荷中心，随着电离辐射总剂量的增加，SiO2介质中俘获的正电荷越多，最终表现为带正电荷，从而导致与SiO2接触的P型Si容易发生耗尽、反型，在SiO2的表面区域形成N型导电通道。NMOS管会发生源漏电极之间漏电增大，并且NMOS管的漏电极与PMOS管的体电极导通问题，导致NMOS器件的关态电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法，其特征在于，包括：提供衬底，在其表面依次形成缓冲氧化层和有源区光刻的掩蔽层；进行有源区腐蚀，形成STI隔离槽；在掩蔽层表面及STI隔离槽中淀积STI隔离介质；对STI隔离介质进行CMP研磨，去除掩蔽层，并进行P阱杂质注入，形成低压P阱和高压P阱；对低压P阱和高压P阱的表面进行处理，采用CVD或ALD方法淀积高压MOS器件SiO2栅氧层；去除低压NMOS区域的SiO2栅氧层，裸露出衬底；在整个表面采用CVD或ALD法淀积SiO2栅氧层；再在整体的表面淀积多晶硅；进行光刻腐蚀形成MOS器件的多晶栅电极，并进行LDD注入；淀积多晶栅电极的侧墙介质，用于后续形成源电极和漏电极；采用各向异性腐蚀方法，形成栅电极Spacer侧墙；进行源漏杂质注入形成MOS器件的源漏区域。2.如权利要求1所述的提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法，其特征在于，所述缓冲氧化层为SiO2，厚度为50～200nm；所述掩蔽层为SiN，厚度为50～200nm。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王印权，郑若成，洪根深，贺琪，胡君彪，郝新焱，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：