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本发明公开一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法，属于微电子工艺制造领域。本发明通过采用特殊的CVD或ALD淀积的方法，淀积温度小于800摄氏度，制备MOS器件的高质量栅氧化层SiO2介质；在CVD或ALD淀积MOS器件栅氧化层前，通...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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