一种金刚石基欧姆接触结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种金刚石基欧姆接触结构及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域。该金刚石基欧姆接触结构，包括金刚石衬底，金刚石衬底的表面设有欧姆接触电极，欧姆接触电极包括两层金属电极层，接触金刚石衬底的第一电极层为Ni金属层，第一电极层的上层为第二电极层，第二电极层为化学惰性金属层。金刚石衬底表面上还可预先设有单晶金刚石外延薄膜。本发明专利技术还公开了该金刚石基欧姆接触结构的制备方法，在金刚石材料衬底上沉积第一电极层，在第一电极层上沉积第二电极层，之后进行快速退火形成耐高温金刚石基欧姆接触结构。本发明专利技术的金刚石基欧姆接触结构在高温下有良好的热稳定性和电学特性，同时显著提高了金属电极与金刚石材料之间的黏附性。刚石材料之间的黏附性。刚石材料之间的黏附性。

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石基欧姆接触结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种金刚石基欧姆接触结构及其制备方法，特别涉及金刚石材料欧姆接触电极及其制备方法和应用，属于半导体材料与器件


技术介绍

[0002]金刚石基材料作为第四代宽禁带半导体材料，拥有超宽的禁带宽度，高载流子迁移率，高热导率，高击穿场强和高抗辐射能力等特点，以上的材料特性使其成为制备超大功率和超高频电子器件的理想材料。金刚石薄膜在电子学方面的应用必然会涉及到金属的电极问题，欧姆接触作为金刚石基电子器件制备过程中的关键工艺，对器件的电流密度、工作温度、高功率性能等参数有着关键作用，直接决定了器件在高温、易氧化等极端环境中的工作寿命。理想的欧姆接触的接触电阻相比半导体样品或器件应该很小，在电流通过时其压降应该远小于半导体样品或器件本身的压降，对器件的电流-电压特性无明显影响，从而保护器件性能。
[0003]目前，金刚石欧姆接触金属和合金层通常面临比接触电阻率不足，热稳定性差以及粘附性差的缺点，在剥离金属工艺中经常会从金刚石表面脱落。以上缺点直接导致欧姆接触的可靠性降低，直接影本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚石基欧姆接触结构，其特征在于：包括金刚石衬底，所述金刚石衬底的表面设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极包括两层金属电极层，接触金刚石衬底的第一电极层为Ni金属层，第一电极层的上层为第二电极层，第二电极层为化学惰性金属层。2.一种金刚石基欧姆接触结构，其特征在于：包括金刚石衬底，所述金刚石衬底的表面设有单晶金刚石外延薄膜，所述的单晶金刚石外延薄膜上设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极包括两层金属电极层，接触单晶金刚石外延薄膜的第一电极层为Ni金属层，第一电极层的上面为第二电极层，第二电极层为化学惰性金属层。3.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构，其特征在于：所述的第一电极层的厚度为2-200nm，所述的第二电极层的厚度为20-400nm；所述的单晶金刚石外延薄膜的厚度为10nm到10微米。4.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构，其特征在于：所述的第二电极层材质为Au、W、Ir、Pd和Pt中的任意一种；所述的金刚石衬底为单晶金刚石薄膜、多晶金刚石薄膜、高温高压金刚石衬底、表面氢化处理过的金刚石、P型掺杂金刚石或N型掺杂金刚石。5.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构，其特征在于：所述的第一电极层和第二电极层的沉积方式为电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积金属镀膜方法；所述的单晶金刚石外延薄膜采用微波等离子体化学气相沉积方法制备。6.根据权利要求1-5中任一项所述的金刚石基欧姆接触结构的制备方法，包括如下步骤：(1)选取金刚石衬底，利用混合酸液水浴加热，对金刚石衬底进行清洗，去除金刚石表面非金刚石相；(2)将清洗后的金刚石衬底放置到等离子体气氛中保持5秒至50min进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏飞，陈伟东，张少鹏，王宏兴，
申请(专利权)人：内蒙古工业大学，
类型：发明
国别省市：