一种单粒子注入方法及单粒子注入设备技术

本发明专利技术公开了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，涉及存储领域，所述单粒子注入方法，适用于单粒子注入设备，所述单粒子注入设备结构包括主机以及至少一个单粒子注入装置，包括：主机接收启动指令，并将启动指令传递至单粒子注入装置，响应于所述启动指令，至少一个单粒子注入装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标，响应于所述场效应，接收目标电位状态发生转变。可见，本发明专利技术的实施例提供了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，通过单粒子注入装置对接收目标释放并传递场效应，通过场效应诱发接收目标的半导体器件电位状态高低状态的转变。并且对场效应释放以及强度和周期可以根据需求控制，以实现人工单粒子注入。入。入。

【技术实现步骤摘要】
一种单粒子注入方法及单粒子注入设备


[0001]本专利技术实施例涉及存储领域，涉及一种单粒子注入方法及单粒子注入设备。

技术介绍

[0002]单粒子翻转(SEU，Single
‑
Event Upsets)是指在宇宙中单个高能粒子入射半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转的现象。此外，由于空间环境非常复杂，包括光场效应、磁场效应、电场效应以及热场效应，这些场效应对计算机中的互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor)电子元器件产生影响，从而导致半导体器件性能退化、存储数据丢失等现象。
[0003]在对SEU的研究过程发现，基于SEU对电子元器件的影响，尤其是针对非易失性存储器具有同样的影响效果，可将其应用在电子对抗领域或者对电子元器件的抗压测试领域。现阶段通常采用宇宙射线等自然条件实现单粒子注入来诱发SEU，目前通过人工进行单粒子注入的方式仍处于探索阶段。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，以实现人工进行单粒子注入的方式，以实现对接受目标实现人工单粒子翻转。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术的第一方面提出了一种单粒子注入方法，适用于单粒子注入设备，所述单粒子注入设备包括主机以及至少一个单粒子注入装置，所述主机用于接收和传递数据信息，所述单粒子注入装置用于释放场效应以改变目标期间的电位状态，所述方法包括：
>[0006]所述主机接收启动指令，并将所述启动指令传递至所述单粒子注入装置；
[0007]响应于所述启动指令，所述至少一个单粒子注入装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标；
[0008]响应于所述场效应，所述接收目标电位状态发生转变。
[0009]在一些实施例中，所述场效应包括以下至少一种：光场效应、磁场效应、电场效应以及热场效应。
[0010]在一些实施例中，所述单粒子注入装置包括以下至少一种发生器：光场发生器、磁场发生器、电场发生器以及热场发生器。
[0011]在一些实施例中，所述接收目标包括：非易失性存储器。
[0012]在一些实施例中，响应于所述启动指令，所述单粒子注入装置输出场效应至所述接收目标的输出模式包括：单次输出以及周期性输出。
[0013]在一些实施例中，所述单粒子注入方法还包括：依据所述接收目标电位状态判断后续注入需求；
[0014]若所述接收目标接收的所述场效应结束前，所述接收目标电位状态改变，则停止注入；
[0015]若所述接收目标接收的所述场效应结束后，所述接收目标电位状态未改变，则反馈当前状态至所述主机，并由所述主机反馈至用户确认后续注入需求。
[0016]本申请的另一方面，还提出了一种单粒子注入设备，所述单粒子注入设备包括：主机以及至少一个单粒子注入装置，所述主机与所述至少一个单粒子注入装置相连，
[0017]所述主机用于接收和传递数据信息；
[0018]所述单粒子注入装置用于产生场效应至接收目标，通过所述场效应转变所述接收目标的电子状态。
[0019]在一些实施例中，所述单粒子注入装置内部设置有以下至少一种发生器，包括：磁场发生器、光场发生器以及热场发生器。
[0020]在一些实施例中，所述单粒子注入设备还包括结果检测装置，所述结果检测装置同所述主机以及所述接收目标相连，用于对所述接受目标的单粒子翻转结果进行确认收集，并将结果的数据信息发送至所述主机。
[0021]本专利技术的实施例提供了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，通过单粒子注入装置对接收目标释放并传递场效应，通过场效应诱发接受目标的半导体器件电位状态转变，由高态转变为低态或由低态转变为高态。并且对场效应释放的强度、频率以及周期可以根据实际需求进行控制，以此实现人工对接收目标的单粒子注入。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。
[0023]图1为根据本申请一实施方式的单粒子注入方式流程示意图；
[0024]图2为根据本申请一实施方式的单粒子注入设备结构连接示意图；
[0025]图3为根据本申请一实施方式的接收目标单个存储单元发生单粒子翻转示意图；
[0026]图4为根据本申请一实施方式的接收目标示意图。
具体实施方式
[0027]为使得本申请的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0028]本领域技术人员可以理解，本申请中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同设备、模块或参数等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
[0029]单粒子翻转(SEU，Single
‑
Event Upsets)是指，在宇宙中单个高能粒子射入半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转的现象。原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal
‑
Oxide
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Semiconductor)电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变。
[0030]在对SEU的研究过程发现，基于SEU对电子元器件的影响，尤其是针对非易失性存储器具有同样的影响效果，可将其应用在电子对抗领域或者对电子元器件的抗压测试领
域。现阶段通常采用宇宙射线等自然条件实现单粒子注入来诱发SEU，目前通过人工进行单粒子注入的方式仍处于探索阶段。
[0031]在本申请的一个实施例中，提出了一种单粒子注入方法，适用于单粒子注入设备，所述单粒子注入设备包括主机以及至少一个单粒子注入装置，所述主机用于接收和传递数据信息，所述单粒子注入装置用于释放场效应以改变目标器件的电位状态，如图1所示，所述方法包括：
[0032]所述主机接收启动指令，并将所述启动指令传递至所述单粒子注入装置；
[0033]响应于所述启动指令，所述至少一个单粒子注入装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标；
[0034]响应于所述场效应，所述接收目标电位状态发生转变。
[0035]可选的，所述场效应包括以下至少一种：光场效应、磁场效应、电场效应以及热场效应。
[0036]可选的，所述单粒子注入装置至少包括以下至少一种发生器：光场发生器、磁场发生器、电场发生器以及热场发生器。
[0037]可选的，所述接收目标包括：非易失性存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单粒子注入方法，其特征在于，适用于单粒子注入设备，所述单粒子注入设备结构包括主机以及至少一个单粒子注入装置，所述主机用以接收和传递数据信息，所述单粒子注入装置用以释放场效应改变接收目标的电位状态，所述方法包括：所述主机接收启动指令，并将所述启动指令传递至所述单粒子注入装置；响应于所述启动指令，所述至少一个单粒子注入装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标；响应于所述场效应，所述接收目标电位状态发生转变。2.根据权利要求1所述的单粒子注入方法，其特征在于，所述场效应包括以下至少一种：光场效应、磁场效应、电场效应以及热场效应。3.根据权利要求1所述的单粒子注入方法，其特征在于，所述接收目标包括：非易失性存储器。4.根据权利要求1所述的单粒子注入方法，其特征在于，响应于所述启动指令，所述单粒子注入装置输出场效应至所述接收目标的输出模式包括：单次输出以及周期性输出。5.根据权利要求1所述的单粒子注入方法，其特征在于，所述单粒子注入方法还包括：依据所述接收目标电位状态判断后续注入需求；若所述接收目标接收的所述场效应结束前，所述接收目标电位状态改变，则停止注入；若所述接收目标接收的所述场效应结束...

【专利技术属性】
技术研发人员：金辉，王碧，赵巍胜，王昭昊，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：