一种连接线结构及其形成方法技术

发明专利技术公开了一种连接线结构及其形成方法，该连接线结构包括钝化层、金属层和保护层，所述金属层设置在所述钝化层上，所述保护层设置在所述金属层上。在本发明专利技术中，可以采用单层布线简单设计，也可采用多层立体布线设计实现高速率传输；MEMS工艺允许连接线呈直线或弯折布局设计，弯折布局的连接线具有柔性，具有更优的匹配性。的匹配性。

【技术实现步骤摘要】
一种连接线结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及连接线领域。更具体地说，本专利技术涉及一种连接线结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]软排线(FFC)可以任意选择导线数目及间距，联线方便，缩减电子产品的体积。适合于移动部件与主板之间、PCB板与PCB板之间、小型化电器设备中作数据传输线缆之用。
[0003]软排线在成像模组中用于连接PCBA(print circuit board+Assembly用电子印刷技术制备的电子部件)和连接器。PCBA上芯片的信号通过pin脚连接软排线，软排线将信号传输至连接器，连接器可以连接驱动板、处理器等，实现芯片与外部的信号通信。
[0004]MEMS技术是一种新兴技术，以硅为主要材料，制备的微机电器件具有内部尺寸在微米及亚微米的特点。MEMS技术能制备可移动、带悬空结构等复杂三维结构的微型器件。采用MEMS技术制备信号传输线缆，替代传统的软排线，将大大缩减排线尺寸，减小产品尺寸。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种连接线结构及其形成方法，可根据所需传输速率选择不同设计的MEMS布局。
[0006]为了实现本专利技术的这些目的和其它优点，提供一种连接线结构，包括钝化层、金属层和保护层，所述金属层设置在所述钝化层上，所述保护层设置在所述金属层上。
[0007]在其中的一个实施例中，所述金属层包括至少一根金属线。
[0008]在其中的一个实施例中，所述金属线的形状为直线形、波浪形、方波形或锯齿形。
[0009]在其中的一个实施例中，所述连接线结构包括至少两个焊盘，所述焊盘位于所述金属线的两端。
[0010]在其中的一个实施例中，所述连接线结构包括多层所述金属层和多层保护层，所述金属层和所述保护层交替堆叠而成。
[0011]为了实现本专利技术的这些目的和其它优点，提供一种连接线结构的形成方法，包括：
[0012]步骤A：在基底上形成钝化层；
[0013]步骤B：在所述钝化层上形成金属层；
[0014]步骤C：在所述金属层上形成保护层；
[0015]其中，所述连接线结构是通过半导体工艺形成的。
[0016]在其中的一个实施例中，还包括：
[0017]去除部分所述基底。
[0018]在其中的一个实施例中，还包括：采用步骤B和步骤C，形成多层金属层和多层保护层，所述金属层和所述保护层交替堆叠。
[0019]在其中的一个实施例中，还包括：
[0020]在所述保护层上形成接触孔。
[0021]在其中的一个实施例中，还包括：
[0022]在所述钝化层上形成第一层金属层的同时，还形成焊盘。
[0023]本专利技术至少包括以下有益效果：
[0024]1、采用MEMS技术制备连接线，内部尺寸可以在微米和亚微米级别，与传统连接线相比，连接线整体尺寸可以降低2～4个数量级，从而减小产品尺寸。
[0025]2、采用多层立体设计，无需减小导线数目，可进一步的减小连接线整体尺寸。
[0026]3、金属线可以选择弯曲型设计，弯曲型金属线具有柔性，可满足移动部件间的连接。
[0027]4、MEMS连接线采用MEMS技术制备而成，能形成大量批产，大大缩减成本。
[0028]5、MEMS连接线可采用硅基工艺或其他半导体工艺制备，目前芯片大多数是硅基半导体工艺制备，故MEMS连接线更易于与芯片集成兼容。
[0029]本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
[0030]图1是实施例1中在基底上制备金属层和焊盘剖面图；
[0031]图2是实施例1中金属层和焊盘的俯视图；
[0032]图3是实施例1中覆盖钝化保护层的剖面图；
[0033]图4是图3的俯视图；
[0034]图5是实施例1中去除部分基底后的剖面图；
[0035]图6是图5的仰视图；
[0036]图7是实施例2中制作第一层金属层和PAD的剖面图；
[0037]图8是图7的俯视图；
[0038]图9是实施例2中制作第二层金属层的剖面图；
[0039]图10是图9的俯视图；
[0040]图11是实施例2中制作第三层金属层的剖面图；
[0041]图12是图11的俯视图；
[0042]图13是实施例2中露出焊盘的剖面图；
[0043]图14是图13的俯视图。
[0044]图15是实施例2中去掉第一层金属层下基底材料形成柔性连接线的剖面图；
[0045]图16是图15的仰视图。
[0046]附图标记说明：1基底，2第一层金属层，3第一层保护层，4直线形金属线，5波浪形金属线，6方形金属线，7焊盘，8接触孔，9第二层金属层，10第二层保护层，11第三层金属层，12第三层保护层。
具体实施方式
[0047]下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0048]为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用
于限定本专利技术。
[0049]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0050]实施例1
[0051]本实施例提供一种连接线结构，包括钝化层、金属层和保护层，所述金属层设置在所述钝化层上，所述保护层设置在所述金属层上。其中，所述金属层包括至少一根金属线，即所述金属层包括一根金属线，或者所述金属层包括至少两根金属线，各个金属线之间相互独立。其中，所述连接线结构是通过半导体工艺形成的，所述半导体工艺包括MEMS工艺，该连接线结构呈柔性，可弯折。
[0052]在可选的实施例中，所述金属线的形状为直线形、波浪形、方波形或锯齿形。
[0053]在其他优选的实施例中，所述连接线结构包括多层所述金属层和多层保护层，所述金属层和所述保护层交替堆叠而成。
[0054]在本实施例中，所述连接线结构包括至少两个焊盘，所述焊盘位于所述金属线的两端。
[0055]实施例2
[0056]结合实施1，本实施例提供一种连接线结构的形成方法，包括：
[0057]步骤A：在基底上形成钝化层；
[0058]步骤B：在所述钝化层上形成金属层；
[0059]步骤C：在所述金属层上形成保护层；
[0060]其中，所述连接线结构是通过半导体工艺形成的。
[0061]在形成金属层和保护层后，去除部分所述基底，可在两端保留部分基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连接线结构，其特征在于，包括钝化层、金属层和保护层，所述金属层设置在所述钝化层上，所述保护层设置在所述金属层上。2.如权利要求1所述的连接线结构，其特征在于，所述金属层包括至少一根金属线。3.如权利要求2所述的连接线结构，其特征在于，所述金属线的形状为直线形、波浪形、方波形或锯齿形。4.如权利要求2所述连接线结构，其特征在于，所述连接线结构包括至少两个焊盘，所述焊盘位于所述金属线的两端。5.如权利要求1所述的连接线结构，其特征在于，所述连接线结构包括多层所述金属层和多层保护层，所述金属层和所述保护层交替堆叠而成。6.一种连接线结构的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄立，黄晟，马占锋，王雅琴，王春水，高健飞，
申请(专利权)人：武汉衷华脑机融合科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：