一种适用于双重光刻技术的版图拆分方法、适用于双重光刻技术的版图拆分装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及尤其涉及一种适用于双重光刻技术的版图拆分方法、适用于双重光刻技术的版图拆分装置及电子设备，本方法包括如下步骤：提供包括多个掩模图形的初始版图；基于第一拆分规则将多个掩模图形拆分为有冲突图形和无冲突图形；基于第二拆分规则将有冲突图形分为第一部分掩模图形和第二部分掩模图形；基于第三拆分规则将无冲突图形分为第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形；分别将第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形中的其中一部分与第一部分掩模图形合并以获得第一版图、另一部分与第二部分掩模图形合并以获得第二版图，本发明专利技术提供的方案具有拆分速度快，拆分之后的两个版图形成的掩模曝光成像分辨率高的优点。曝光成像分辨率高的优点。曝光成像分辨率高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于双重光刻技术的版图拆分方法、适用于双重光刻技术的版图拆分装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种适用于双重光刻技术的版图拆分方法、适用于双重光刻技术的版图拆分装置及电子设备。

技术介绍

[0002]集成电路设计发展到如今，器件的特征尺寸越来越小，并趋近于曝光系统的理论极限，光刻后硅片表面的成像将产生严重的畸变，即产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect)。随着光刻技术面临更高要求和挑战，人们提出了浸没式光刻(Immersion Lithography)，离轴照明(Off Axis Illumination)，移相掩模(Phase Shift Mask)等各种分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology)来改善成像质量，增强分辨率。
[0003]当前主流的1.35NA的193nm浸没式光刻机能够提供36
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40nm的半周期(half
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pitch)分辨率，可以满足28nm逻辑技术节点的要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于双重光刻技术的版图拆分方法，用于将初始版图拆分成第一版图和第二版图，其特征在于，包括如下步骤：提供初始版图，所述初始版图包括多个掩模图形；基于预设的第一拆分规则将所述多个掩模图形拆分为有冲突图形和无冲突图形；基于预设的第二拆分规则将所述有冲突图形分为第一部分掩模图形和第二部分掩模图形，所述第一部分掩模图形和所述第二部分掩模图形中相互的掩模图形之间无冲突；基于预设的第三拆分规则将所述无冲突图形分为至少两种尺寸级别的第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形，所述第一尺寸掩模图形的最大尺寸大于所述第二尺寸掩模图形的最大尺寸；以及分别将第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形中的其中一部分与第一部分掩模图形合并以获得第一版图、另一部分与第二部分掩模图形合并以获得第二版图。2.如权利要求1所述的适用于双重光刻技术的版图拆分方法，其特征在于，分别将第一尺寸掩模图形和第二尺寸掩模图形中的其中一部分与第一部分掩模图形合并以获得第一版图、另一部分与第二部分掩模图形合并以获得第二版图的步骤如下：基于预设的第四拆分规则将所述第一尺寸掩模图形拆分成第三部分掩模图形和第四部分掩模图形，所述第四拆分规则包括：设定任意相邻的两个掩模图形边与边之间的边阈值、以及任意相邻的两个掩模图形的角与角的角阈值，将小于边阈值或者角阈值的两个掩模图形中的一个定义为第三部分掩模图形、另一个定义为第四部分掩模图形，而将大于边阈值或者角阈值的掩模图形部分归为第三部分掩模图形，另外部分归为第四部分掩模图形；将所述第一部分掩模图形与所述第三部分掩模图形合并以获得初始第一版图，将所述第二部分掩模图形与第四部分掩模图形合并以获得初始第二版图；将第二尺寸掩模图形上任意相邻的两个小于边阈值或者角阈值的掩模图形的一个拆分到初始第一版图，另一个拆分到初始第二版图，而将大于边阈值或者角阈值的掩模图形部分归为初始第一版图，另外部分归为初始第二版图上。3.如权利要求1所述的适用于双重光刻技术的版图拆分方法，其特征在于，预设的第一拆分规则如下：设定任意相邻的两个掩模图形边与边之间的边阈值、以及任意相邻的两个掩模图形的角与角的角阈值，将小于边阈值或者角阈值的掩模图形分为有冲突图形，剩余的分为无冲突图形。4.如权利要求1所述的适用于双重光刻技术的版图拆分方法，其特征在于，预设的第二拆分规则如下：设定任意相邻的两个掩模图形边与边之间的边阈值、以及任意相邻的两个掩模图形的角与角的角阈值，将小于边阈值或者角阈值的...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫歌，丁明，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：