一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，属于晶体制备技术领域；包括真空炉，真空炉包括真空腔体和腔体外部的加热装置，真空炉连接有送风管道和排风管道，排风管道通过风机与风冷换热装置的进风口相连接，送风管道与风冷换热装置的出风口相连接，风冷换热装置的换热介质进出管路上设置有流量控制阀；本实用新型专利技术可以实现晶体的稳定快速退火：通过加大风冷装置的冷水流量，使冷却风的温度降低，从而给中空腔快速降温；通过调整设备冷却系统冷却风的温度、风量，同时满足晶体的生长过程的安全冷却和快速退火过程中的快速冷却。快速冷却。快速冷却。

【技术实现步骤摘要】
一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置


[0001]本技术属于晶体制备
，涉及一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置。

技术介绍

[0002]随着半导体材料国产化步伐的加快，对碳化硅单晶生长设备的性能也提出了更高的要求。当前国内主流的碳化硅生长设备还停留在前期研发过程中，设备整体处在各个系统根据功能需求不断改造拼装阶段，缺乏整体性与模块化设计，各个系统功能单一且相互独立，这一点在加热与冷却系统中更为明显，现有碳化硅单晶生长设备的冷却系统均被设计为加热系统外独立的辅助系统，其主要设计思路为保护生长装置不高温过热，为其提供恒定不变的冷却，这就导致碳化硅单晶生长设备的功能单一受限，虽然设备具有晶体退火所需的各种功能，但无法很好的满足晶体原位退火的一致性要求。同时，碳化硅单晶的生长对温度具有较高的要求，在不同的工艺阶段需要控制不同的温度，在冷却能力固定的条件下仅通过加热系统的调节实现温度的调节具有以下缺点：
[0003]（1）调节方式单一，调节能力受限，在设备保温老化之后控温能力明显不足；
[0004]（2）温度调节效率低，速度慢，延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，包括真空炉（1），所述真空炉（1）包括真空腔体（2）和腔体外部的加热装置，其特征在于，所述真空炉（1）连接有送风管道（4）和排风管道（5），所述排风管道（5）通过风机（6）与风冷换热装置的进风口相连接，所述送风管道（4）与风冷换热装置的出风口相连接，所述风冷换热装置的换热介质进出管路上设置有流量控制阀（7）。2.根据权利要求1所述的一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述送风管道（4）和排风管道（5）上均设置有风阀（8）。3.根据权利要求1所述的一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，换热介质进出管路上以及送风管道（4）、排风管道（5）上均设置有压力传感器（9）和温度传感器（10）。4.根据权利要求1所述的一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述风冷换热装置为板式换热器（11）。5.根据权利要求1所述的一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述风机（6）设置有进风过滤器，所述风机（6）连接有变频电机。6.根据权利要求1所述的一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述真空炉（1）分别连接有真空压力控制系统、腔体压力控制系统（12）、工艺气体供应系统（13...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慧强，周立平，魏汝省，刘英斌，张继光，李天，王琪，李明，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：