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一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置制造方法及图纸
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下载一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置的技术资料
文档序号:33426785
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本实用新型公开了一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置,属于晶体制备技术领域;包括真空炉,真空炉包括真空腔体和腔体外部的加热装置,真空炉连接有送风管道和排风管道,排风管道通过风机与风冷换热装置的进风口相连接,送风管道与风冷换热装置的出风口相连...
该专利属于山西烁科晶体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山西烁科晶体有限公司授权不得商用。
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