一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备技术方案

本发明专利技术提供了一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备，其中，半导体基板包括基板主体以及位于基板主体第一侧的多个第一管脚；基板主体的第二侧可封装芯片，第二侧与第一侧相对设置；基板主体的第一侧表面至少包括第一区域和第二区域，第一区域内的第一管脚包括电源管脚和接地管脚，电源管脚和接地管脚可分别与去耦电容的两端电连接，第一区域内的第一管脚的分布密度由去耦电容的尺寸和数量决定；第二区域内的第一管脚的分布密度大于第一区域内的第一管脚的分布密度，以在第一区域内对应设置相应尺寸和数量的去耦电容，使得去耦电容的降噪效果满足要求的同时，缩小半导体基板的面积以及半导体器件即封装芯片的封装面积。封装面积。封装面积。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备。

技术介绍

[0002]在集成电路中，处理器芯片、存储器芯片以及电容、电阻等半导体器件可以安装在同一印刷电路板上，以通过该印刷电路板相互连接并集成在一起。虽然可以通过在印刷电路板上安装去耦电容，来减少电路中其他器件对芯片的噪声影响，但是，芯片的封装面积需要与去耦电容的尺寸和数量相匹配，否则会导致去耦电容的降噪效果不能满足要求。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术致力于提供一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备，以在保证去耦电容的降噪效果满足要求的同时，进一步缩小芯片的封装面积。
[0004]第一方面，本申请提供了一种半导体基板，包括基板主体以及位于所述基板主体第一侧的多个第一管脚；所述基板主体的第二侧可封装芯片，所述第二侧与所述第一侧相对设置；所述基板主体的第一侧表面至少包括第一区域和第二区域，所述多个第一管脚分别位于所述第一区域和所述第二区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基板，其特征在于，包括基板主体以及位于所述基板主体第一侧的多个第一管脚；所述基板主体的第二侧可封装芯片，所述第二侧与所述第一侧相对设置；所述基板主体的第一侧表面至少包括第一区域和第二区域，所述多个第一管脚分别位于所述第一区域和所述第二区域内；所述第一区域内的第一管脚包括电源管脚和接地管脚，所述电源管脚和所述接地管脚可分别与去耦电容的两端电连接，所述第一区域内的第一管脚的分布密度由所述去耦电容的尺寸和数量决定；所述第二区域内的第一管脚的分布密度大于所述第一区域内的第一管脚的分布密度。2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述第一区域位于所述基板主体的中心区域，所述第二区域位于所述基板主体的边缘区域，且所述第二区域包围所述第一区域。3.根据权利要求1或2所述的半导体基板，其特征在于，所述第一区域内的第一管脚以及所述第二区域内的第一管脚均匀分布；和/或，所述第一区域内的第一管脚以及所述第二区域内的第一管脚中心对称分布。4.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述第一区域内的第一管脚的间距大于或等于所述去耦电容的长度，所述第二区域内的第一管脚的间距小于所述去耦电容的长度。5.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，所述第一区域内的第一管脚的间距大于或等于0.9mm，所述第二区域内的第一管脚的间距在0.7mm~1mm范围内。6.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，每一个所述电源管脚和与其相邻设置的一个所述接地管脚都与一个所述去耦电容电连接。7.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述半导体基板还包括位于所述基板主体第二侧的多个第二管脚；所述第二管脚可与所述芯片电连接，所述第二管脚通过贯穿所述基板主体的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，曾维，黄辰骏，王海波，刘志刚，
申请(专利权)人：飞腾信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：