半导体芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体芯片的封装结构，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和3个在竖直方向上叠置且串联的开关二极管芯片，位于中间的开关二极管芯片的正极和负极分别与位于上方的开关二极管芯片的负极和位于下方的开关二极管芯片的正极电连接；第一引线条的引脚端位于环氧封装体的底部的第一缺口槽内，第二引线条的引脚端位于环氧封装体的底部的第二缺口槽；所述第一引线条、第二引线条各自的引脚区与环氧封装体相背的表面间隔设置有若干个凹坑点。本实用新型专利技术半导体芯片的封装结构降低了整流器件与外界电路连接的接触电阻，从而改善了整流器件电性能和提高了封装结构的整体强度。了封装结构的整体强度。了封装结构的整体强度。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的封装结构


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体芯片的封装结构。

技术介绍

[0002]二极管器件是一种常用的半导体器件，它的内部是由P型和N型两种半导体组成的一个PN结，主要特性是“单向导电性”，即电流只能从二极版管的正极流入，负极流出。一般用于整流、检波、限幅等电路，开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间，而二极管需要优良的开关特性才能够用于开关电路，作开关二极管使用。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种半导体芯片的封装结构，该半导体芯片的封装结构降低了整流器件与外界电路连接的接触电阻，从而改善了整流器件电性能和提高了封装结构的整体强度。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种半导体芯片的封装结构，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和3个在竖直方向上叠置且串联的开关二极管芯片，位于中间的开关二极管芯片的正极和负极分别与位于上方的开关二极管芯片的负极和位于下方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的封装结构，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）内的第一引线条（2）、第二引线条（3）和3个在竖直方向上叠置且串联的开关二极管芯片（4），位于中间的开关二极管芯片（4）的正极和负极分别与位于上方的开关二极管芯片（4）的负极和位于下方的开关二极管芯片（4）的正极电连接；所述第一引线条（2）的焊接端与位于上部的开关二极管芯片（4）的正极电连接，第一引线条（2）的引脚端位于环氧封装体（1）的底部的第一缺口槽（6）内，所述第一引线条（2）的焊接端和引脚端之间具有一位于环氧封装体（1）内的第一折弯条区（51）；所述第二引线条（3）的焊接端与位于下部的开关二极管芯片（4）的负极电连接，第二引线条（3）的引脚端位于环氧封装体（1）的底部的第二缺口槽（7）内，所述第二引线条（3）的焊接端和引脚端之间具有一位于环氧封装体（1）内的第二折弯条区（52）；所述第一引线条（2）、...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱淼，李飞帆，邱显羣，
申请(专利权)人：苏州锝耀电子有限公司，
类型：新型
国别省市：