用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片制造技术

本申请公开了一种用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别于所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔的下端分别于所述金属电路层相连，其中，N为大于或等于4正整数。本申请在半导体器件的绝缘层结构中金属过孔，多个金属过孔形成的金属支撑柱对半导体器件中其它层结构施加的应力起到了支撑、平衡、缓冲的作用，增强了电路层金属和绝缘层在应力作用下抵抗失效的能力，从而改善了半导体器件电路的性能，提高半导体器件加工质量和半导体器件的可靠性。导体器件的可靠性。导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于半导体器件的绝缘层结构及其半导体器件、功率放大器芯片。

技术介绍

[0002]现有技术在晶圆(英文：wafer)基底材料表面上，集成了金属电路层(英文：circuit)和顶层金属焊盘层(英文：top metal pad)，在二者之间是绝缘层 (英文：polyimide，简写：PI)以达到电性隔离的要求，在顶层焊盘层周边有钝化层(英文：Passivation)，对顶层焊盘进行尺寸控制，同时达到机械性能保护和电器性能控制的目的。
[0003]单颗晶圆芯片不能单独使用，需要对芯片进行后段封装，将传输信号I/O 引出同时满足封装质量和封装可靠性要求。在晶圆凸块(英文：wafer bumping) 工艺中，在顶层焊盘表面电镀凸点下金属层(英文：under bump metallurgy，简写：UBM)凸点下金属层，然后电镀铜柱(英文：Cu pillar)，并在铜柱末端电镀焊锡合金材料，达到在芯片封装过程中焊接质量的要求。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的绝缘层结构，其特征在于，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别与所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔的下端分别与所述金属电路层相连，其中，N为大于或等于4正整数。2.根据权利要求1所述的绝缘层结构，其特征在于，所述N个金属过孔组成金属过孔阵列，所述过孔阵列的长度比所述半导体器件的晶圆凸块长度长，所述过孔阵列的宽度比所述半导体器件的晶圆凸块的宽度宽。3.根据权利要求2所述的绝缘层结构，其特征在于，所述金属过孔的纵向长度为所述金属过孔横截面直径的1倍至7倍。4.根据权利要求3所述的绝缘层结构，其特征在于，所述N个金属过孔中每个过孔均为实心金属材料填充。5.根据权利要求4所述的绝缘层结构，其特征在于，所述金属过孔的横截面直径尺寸位于2微米至20微米之间。6.根据权利要求5所述的绝缘层结构，其特征在于，所述金属过孔阵列中N个金属过孔的排布方式为横向排布S...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟立伟，申中国，甘陈前，罗志耀，
申请(专利权)人：升新高科技南京有限公司，
类型：新型
国别省市：