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本申请公开了一种用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别于所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔的下...
该专利属于升新高科技（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过升新高科技（南京）有限公司授权不得商用。

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