【技术实现步骤摘要】
基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器
[0001]本专利技术属于变压器领域，特别涉及一种基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器。
技术介绍
[0002]传统的工频变压器为50H
Z
工作频率，频率的升高会导致变压器磁芯在工况时的损耗有较大幅度的增大。而且，现有的变压器即使可在500
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1000Hz的频率下工作，其绕组的通流情况会和在直流及工频下的通流情况存在明显区别，绕组会出现严重的趋肤效应和邻近效应，导致交流电阻增大，绕组损耗骤增。
[0003]另外，按照以往的设计标准来设计单机容量非常大达到1.5MVA的变压器，一方面会导致变压器的体积很大，另一方面也会增大变压器的损耗。
[0004]因此，现有的国内厂家尚无法生产容量达到单机1.5MVA，工作频率在500
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1000Hz之间，同时鉴于变压器的工作环境，变压器的耐压水平也很高，原、副边绝缘、原边对地绝缘、副边对地绝缘的要求都达到了AC50KV的高隔离等级下的兆瓦级中频变压器，也没有相关的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，包括：磁芯，所述磁芯包括平行并列设置且结构相同的取向硅钢片，其中，每片所述取向硅钢片自身搭接成一个回字形回路；所述回字形回路中心的空窗构成磁芯内窗口，所述回字形回路的外沿构成磁芯外窗口，所述回字形回路的两侧在所述磁芯内窗口和磁芯外窗口之间构成侧柱；所述侧柱上缠绕有绕组。2.根据权利要求1所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，所述磁芯内窗口面积为：250mm
×
600mm至400mm
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800mm；所述磁芯外窗口面积为：500mm
×
900mm至700mm
×
1100mm。3.根据权利要求2所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，所述磁芯内窗口面积为：330mm
×
730mm；所述磁芯外窗口面积为：610mm
×
1010mm。4.根据权利要求3所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，所述磁芯的截面积为：0.025
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0.072m2，长250
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360mm，宽100
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200mm。5.根据权利要求4所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，所述磁芯的截面积为：0.042m2，长300mm，宽140mm。6.根据权利要求1
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5任一所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，所述侧柱包括：第一侧柱和第二侧柱；所述绕组包括：第一绕组和第二绕组；所述第一侧柱上缠绕有第一绕组，所述第二侧柱上缠绕有第二绕组；所述第一绕组和第二绕组串联。7.根据权利要求6所述的基于超低损超薄取向硅钢磁芯的中频心式隔离变压器，其特征在于，所述绕组为20
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40匝，所述第一绕组和第二绕组均为10<...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾嵘，赵彪，崔彬，胡家亮，屈鲁，余占清，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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