冷却处理装置制造方法及图纸

一种冷却处理装置，包括：密闭腔室；狭槽组，包括多个依次排列设置于密闭腔室内的间隔部，相邻的间隔部之间围成狭槽，狭槽适于放置薄片，间隔部用于承接薄片且平行于薄片的面为接触面，多个狭槽沿垂直于接触面的方向依次排列；狭槽组包括与密闭腔室的内壁相对且平行于接触面的端面、以及与密闭腔室的内壁相对且垂直于接触面的侧面；气体管路，适于向密闭腔室内通入冷却气体，气体管路设置于狭槽组周围，气体管路包括：第一管路，沿平行于接触面延伸且设置于端面与密闭腔室之间，第一管路用于释放冷却气体；第二管路，位于狭槽组的侧面且沿垂直于接触面方向延伸，第二管路用于释放冷却气体。本实用新型专利技术实施例有利于提高对薄片的冷却效果。却效果。却效果。

【技术实现步骤摘要】
冷却处理装置


[0001]本技术实施例涉及半导体设备领域，尤其涉及一种冷却处理装置。

技术介绍

[0002]集成电路制造工艺通常包括前段制程(Front end of line)和后段制程(Back end of line，BEOL)。前段制程通常用于制作半导体器件，比如：MOS晶体管；后段制程通常用于制作多层的金属互连线，不同层金属互连线之间由导电接触插塞相连，进而形成后段金属互联结构，以实现前段半导体器件之间的互连、以及前段半导体器件与外部电路之间的电连接。
[0003]在集成电路制造工艺中，通常会对晶圆进行高温处理工艺，例如：在进行离子注入工艺之后，通常会对晶圆进行退火处理，退火处理用于对离子注入造成的晶格损伤进行修复，以及激活注入离子，进而实现缺陷修复以及晶格的规则排列。并且，在对晶圆进行高温处理工艺之后，通常还会对晶圆进行冷却处理，以降低晶圆表面温度。
[0004]但是，目前对晶圆等薄片结构的冷却处理的效果不佳。

技术实现思路

[0005]本技术实施例解决的问题是提供一种冷却处理装置，用于提高冷却处理的冷却效果。
[0006]为解决上述问题，本技术实施例提供一种冷却处理装置，包括：密闭腔室；狭槽组，包括多个依次排列设置于密闭腔室内的间隔部，相邻的间隔部之间围成狭槽，狭槽适于放置薄片，狭槽用于承接薄片且平行于薄片的面为接触面，多个狭槽沿垂直于接触面的方向依次排列；狭槽组包括与密闭腔室的内壁相对且平行于接触面的端面、以及与密闭腔室的内壁相对且垂直于接触面的侧面；气体管路，适于向密闭腔室内通入冷却气体，气体管路设置于狭槽组周围，气体管路包括：第一管路，沿平行于接触面延伸且设置于端面与密闭腔室之间，第一管路用于释放冷却气体；第二管路，位于狭槽组的侧面且沿垂直于接触面方向延伸，第二管路用于释放冷却气体。
[0007]可选的，所述第二管路的管壁上分布有第一气孔，所述第一气孔适于释放冷却气体。
[0008]可选的，所述第一管路的管壁上分布有第二气孔，所述第一气孔的数量大于或等于所述第二气孔的数量。
[0009]可选的，所述第一管路的管壁上分布有第二气孔；所述第一气孔的尺寸大于、等于或小于所述第二气孔的尺寸。
[0010]可选的，第二管路位于密闭腔室内部的端口为封闭端口。
[0011]可选的，沿狭槽的排列方向，狭槽组包括中间区域和位于中间区域两侧的端部区域；第一气孔的位置与中间区域的狭槽相对应。
[0012]可选的，第一气孔设置于第二管路朝向狭槽组一侧的管壁上。
[0013]可选的，第二管路沿延伸方向上分布有多个定位点，定位点在朝向狭槽组的方向且沿圆周方向上设置有多个第一气孔，第一气孔上设置有喷头，用于沿平行于接触面且朝向狭槽的方向释放冷却气体。
[0014]可选的，第一管路与第二管路相连通。
[0015]可选的，第一管路的端口设置有沿垂直于接触面的方向的喷嘴。
[0016]可选的，薄片包括晶圆、掩膜版或液晶面板。
[0017]可选的，薄片为晶圆；冷却处理装置用于在高温处理工艺之后对晶圆进行冷却处理，高温处理工艺包括：金属化工艺、沉积工艺和退火工艺中的一种或多种。
[0018]可选的，金属化工艺用于形成互连结构，互连结构的材料包括Al、Cu、Ag、Au、TiN、TaN、Ti、Ta、TiAL、TiALC、TiSiN、W、Co、Pt和Ni中的一种或多种。
[0019]与现有技术相比，本技术实施例的技术方案具有以下优点：
[0020]本技术实施例提供的冷却处理装置中，在狭槽组周围设置有气体管路，气体管路包括：第一管路，沿平行于接触面延伸且设置于端面与密闭腔室之间；第二管路，位于狭槽组的侧面且沿垂直于接触面方向延伸。因此，冷却气体不仅能通过第一管路从端面与密闭腔室之间释放，还能通过第二管路从狭槽组的侧面释放，相应地从增加了冷却气体的释放路径，使得狭槽组的侧面和端面均能够接触到冷却气体，有效地提高了冷却处理装置对薄片进行冷却处理的冷却效率和冷却均匀性，进而提高了对薄片的冷却效果。
[0021]可选方案中，第二管路的管壁上分布有一个或多个第一气孔，第一气孔适于释放冷却气体，第一气孔的数量为一个或多个，每个第一气孔的位置与预设的一个狭槽的位置相对应，从而增加冷却气体在第二管路上释放的均匀性，相应有利于提高对薄片进行冷却处理的均匀性。
[0022]可选方案中，沿狭槽的排列方向，狭槽组包括中间区域和位于中间区域两侧的端部区域；第一气孔的位置与中间区域的狭槽相对应，从而通过第一气孔向位于中间区域的狭槽释放冷却气体，有利于提高对放置于中间区域的狭槽内的薄片的冷却速率，进而有利于提高对薄片进行冷却处理的均匀性，相应提高了对薄片的冷却效果。
附图说明
[0023]图1是一种冷却处理装置的结构示意图；
[0024]图2是本技术冷却处理装置一实施例的结构示意图；
[0025]图3是本技术冷却处理装置另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0026]由
技术介绍
可知，目前对薄片的冷却处理的效果不佳。
[0027]现以薄片为晶圆为例，结合一种冷却处理装置的结构示意图，分析对晶圆的冷却处理效果不佳的原因。图1是一种冷却处理装置的结构示意图。
[0028]参考图1，冷却处理装置包括：密闭腔室3；设置于密闭腔室3内的狭槽组4，包括多个自下而上依次堆叠的间隔部9，相邻的间隔部9之间围成狭槽2，狭槽2适于放置晶圆6，狭槽2用于放置晶圆6的面为接触面5，多个狭槽2沿垂直于接触面5的方向依次排列；狭槽组4包括与密闭腔室3相对且平行于接触面5的端面4A、以及与密闭腔室3相对且垂直于接触面5
的侧面4B；气体管路1，适于向密闭腔室3内通入冷却气体，气体管路1沿平行于接触面5延伸且设置于端面4A与密闭腔室3之间。
[0029]气体管路1设置于端面4A与密闭腔室3之间，在向气体管路1内通入冷却气体后，靠近端面4A的晶圆6与冷却气体的接触强度，高于远离端面4A的晶圆6与冷却气体的接触强度，相应地，导致晶圆6的冷却均匀性较低，而且，冷却气体仅能够从靠近端面4A的位置通入密闭腔室3内，导致对晶圆6的冷却效率也较低，对晶圆6的冷却效果不佳。
[0030]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种冷却处理装置，在狭槽组周围设置有气体管路，气体管路包括：第一管路，沿平行于接触面延伸且设置于端面与密闭腔室之间；第二管路，位于狭槽组的侧面且沿垂直于接触面方向延伸。因此，冷却气体不仅能通过第一管路从端面与密闭腔室之间释放，还能通过第二管路从狭槽组的侧面释放，相应地从增加了冷却气体的释放路径，使得狭槽组的侧面和端面均能够接触到冷却气体，有效地提高了冷却处理装置对薄片进行冷却处理的冷却效率和冷却均匀性，进而提高了对薄片的冷却效果。
[0031]为使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷却处理装置，用于对薄片进行冷却处理，其特征在于，所述冷却处理装置包括：密闭腔室；狭槽组，包括多个依次排列设置于所述密闭腔室内的间隔部，相邻的所述间隔部之间围成狭槽，所述狭槽适于放置所述薄片，所述狭槽用于承接所述薄片且平行于所述薄片的面为接触面，多个所述狭槽沿垂直于所述接触面的方向依次排列；所述狭槽组包括与所述密闭腔室的内壁相对且平行于所述接触面的端面、以及与所述密闭腔室的内壁相对且垂直于所述接触面的侧面；气体管路，适于向所述密闭腔室内通入冷却气体，所述气体管路设置于所述狭槽组周围，所述气体管路包括：第一管路，沿平行于所述接触面延伸且设置于所述端面与所述密闭腔室之间，所述第一管路用于释放冷却气体；第二管路，位于所述狭槽组的侧面且沿垂直于所述接触面方向延伸，所述第二管路用于释放冷却气体。2.如权利要求1所述的冷却处理装置，其特征在于，所述第二管路的管壁上分布有第一气孔，所述第一气孔适于释放冷却气体。3.如权利要求2所述的冷却处理装置，其特征在于，所述第一管路的管壁上分布有第二气孔，所述第一气孔的数量大于或等于所述第二气孔的数量。4.如权利要求2所述的冷却处理装置，其特征在于，所述第一管路的管壁上分布有第二气孔；所述第一气孔的尺寸大于、等于或小于所述第二气孔的尺寸。5.如权利要求1所述的冷却处理装置，其特征在于，所述第二管路位于所述密闭腔室内部的端口为封闭端口。6.如权利要求2所述的冷却处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：章志营，肖志强，南艳荣，张杨，李楠，杨文，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：